[發明專利]一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法

無效

• 申請號: 201110390457.4
• 申請日: 2011-12-01
• 公開（公告）號: CN102425007A
• 公開（公告）日: 2012-04-25
• 發明（設計）人: 陶斯祿;蔣一嵐;周春
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: C30B29/02
• 分類號: C30B29/02;C30B29/64;C30B7/14;B82Y40/00
• 代理公司: 成都頂峰專利事務所(普通合伙) 51224
• 代理人: 成實

1.一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在硅片表面制備含有醛基的物質的種子層；

（2）利用硅片表面的種子層進行銀鏡反應；

（3）將銀鏡反應后的硅片沖洗之后自然晾干，得到銀納米晶體。

2.根據權利要求1所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟（1）的具體方法包括：

（1a）先對硅片表面進行清洗，再進行干燥；

（1b）將干燥后的硅片置于培養皿中，利用葡萄糖乙醇溶液制作種子層。

3.根據權利要求2所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟a中對硅片表面進行清洗的具體方法為：

先用有洗滌劑的無塵布搓洗硅片表面，然后將硅片放入氫氟酸溶液中浸泡，再用洗滌劑進行超聲震蕩清洗，然后用去離子水進行超聲震蕩清洗，然后用丙酮進行超聲震蕩清洗，最后用乙醇進行超聲震蕩清洗。

4.根據權利要求3所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟a中將硅片放入氫氟酸溶液中浸泡具體是指將硅片放入濃度為4%的氫氟酸溶液中浸泡5min。

5.根據權利要求4所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟a中先用洗滌劑進行超聲震蕩清洗、然后用去離子水進行超聲震蕩清洗、然后用丙酮進行超聲震蕩清洗、最后用乙醇進行超聲震蕩清洗的時間分別為15分鐘。

6.根據權利要求5所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟a中干燥的設備為電熱恒溫鼓風干燥箱。

7.根據權利要求6所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟b中利用葡萄糖乙醇溶液制作種子層的方法為以下兩種之一：

第一種：將葡萄糖乙醇溶液滴在硅片表面，并使其完全浸潤硅片表面，之后讓其自然晾干，或者再重復一次上述過程；

第二種：將葡萄糖乙醇溶液滴在硅片表面，幾秒鐘之后用無水乙醇沖洗再用電吹風吹干，并重復上述過程至少一次。

8.根據權利要求1～7中任意一項所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟（2）中利用硅片表面的種子層進行銀鏡反應的具體方法如下：

（2a）配置銀氨溶液；?

（2b）將制作好的含有種子層的硅片放入已配置好的銀氨溶液中，并于0-50℃水浴加熱5-90分鐘。

9.根據權利要求8所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟（2a）的具體方法如下：

取質量分數為2%的硝酸銀溶液于潔凈的燒杯中，加入質量分數為2%的氫氧化鈉溶液，然后逐滴加入體積分數為2%的氨水，直到沉淀消失、溶液澄清為止。

10.根據權利要求9所述的一種在硅片表面制備銀納米晶體的方法，其特征在于，所述步驟（3）對銀鏡反應后的硅片進行沖洗的洗滌液為去離子水。