[發明專利]半導體晶片蝕刻設備

有效

• 申請號: 201110389305.2
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN103137414A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 黃建光;呂亞明;徐新華;王磊;陸基益
• 申請（專利權）人: 昆山中辰矽晶有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;C23F1/08;H01L21/00;H01L21/67
• 代理公司: 昆山四方專利事務所 32212
• 代理人: 盛建德

1.一種半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：設有供料裝置、收料裝置、蝕刻裝置、控制裝置和若干伺服機械手，所述供料裝置包括用于放置蝕刻前晶片的供料晶片籃，所述收料裝置包括用于放置蝕刻后晶片的收料晶片籃，所述控制裝置控制所述半導體晶片蝕刻設備內所有裝置的運行，若干所述伺服機械手在所述供料晶片籃、蝕刻裝置和收料晶片籃之間傳遞晶片。

2.根據權利要求1所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述供料裝置由供料晶片籃(1)、供料伺服升降機構(2)和供料伺服機械手(3)構成，所述供料晶片籃固定于所述供料伺服頂升機構上端，所述供料伺服機械手能夠抓取所述供料晶片籃中的晶片并能夠將晶片放置于所述蝕刻裝置內。

3.根據權利要求2所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述收料裝置由收料晶片籃(4)、收料伺服升降機構(5)和收料伺服機械手(6)構成，所述收料晶片籃固定于所述收料伺服頂升機構上端，所述收料伺服機械手能夠抓取所述蝕刻裝置中的晶片并能夠將晶片置于所述收料晶片籃中。

4.根據權利要求3所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述蝕刻裝置(7)為氣體蝕刻裝置，還設有吹氣系統和抽氣系統，所述吹氣系統與所述蝕刻裝置相連，所述蝕刻裝置與所述抽氣系統相連，所述控制裝置控制所述吹氣系統和抽氣系統。

5.根據權利要求4所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述氣體蝕刻裝置設有基座和氣罩，所述氣罩位于所述基座上方，所述氣罩能夠密封罩于所述基座上構成密閉空間，所述基座上設有晶片定位座，所述氣罩上開設有進氣孔，所述進氣孔與所述密閉空間相通，所述吹氣系統與所述進氣孔連接，所述基座上開設有若干出氣孔，所述出氣孔與所述密閉空間相通，所述抽氣系統與所述出氣孔連接。

6.根據權利要求5所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述晶片定位座的形狀與所述晶片的形狀相同，所述晶片為具有平口的圓形片狀，設有平口檢測系統，所述平口檢測系統設有影像系統(8)和角度調整伺服系統(9)，所述角度調整伺服系統上端為平口檢測臺(10)，所述角度調整伺服系統能夠帶動所述平口檢測臺在水平面上轉動，所述控制裝置控制所述平口檢測系統，所述供料伺服機械手能夠抓取供料晶片籃中的晶片并將晶片置于所述平口檢測臺。

7.根據權利要求6所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：設有線性滑軌(11)，所述供料伺服機械手位于線性滑軌上且能夠在線性滑軌上線性移動，所述供料伺服機械手連接有驅動其在線性滑軌上做左右方向直線位移的第一氣缸，所述第一氣缸連接有第一伺服電機(12)，所述供料伺服機械手連接有驅動其在線性滑軌上做前后方向直線位移的第二氣缸，所述第二氣缸連接有第二伺服電機(13)，所述控制裝置控制所述第一伺服電機(12)和第二伺服電機(13)，所述供料伺服機械手能夠抓取所述平口檢測臺上的晶片并能夠將晶片置于所述蝕刻裝置內。

8.根據權利要求5所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述晶片定位座中心開設有真空吸氣口，所述真空吸氣口連接有吸真空裝置，所述控制裝置控制所述吸真空裝置。

9.根據權利要求5所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述氣體蝕刻裝置設有用于提升蝕刻溫度的加熱裝置，所述控制裝置控制所述加熱裝置。

10.根據權利要求1至9中任一項所述的半導體晶片蝕刻設備，其特征在于：所述控制裝置設有可編程控制器和人機界面(14)。