[發明專利]基于ARM的嵌入式注入機控制系統

有效

• 申請號: 201110389219.1
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN103137410A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 王蒙;李勇滔;趙章琰;李超波;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01J37/317
• 分類號: H01J37/317;H01J37/304
• 代理公司: 北京市德權律師事務所 11302
• 代理人: 劉麗君

1.一種基于ARM的嵌入式離子注入機，包括電源系統，其特征在于，還包括：

反應腔室、預抽腔室、運行有注入機控制軟件的上位機、真空控制系統、送片系統；

所述真空控制系統在所述上位機的控制下，控制所述反應腔室、所述預抽腔室的真空度；所述反應腔室與所述預抽腔室連接；所述送片系統用于將硅片從所述預抽腔室運輸至所述反應腔室，并將硅片運輸至所述反應腔室內的離子反應位置；所述上位機是基于ARM的方式實現。

2.根據權利要求1所述的離子注入機，其特征在于，所述真空控制系統包括：

分子泵、第一機械泵、第二機械泵、分支泵、真空計、連接在所述預抽腔室和反應腔室之間的門閥、電磁閥、擺閥以及氣體管路中的各級氣動閥；

所述第一機械泵的一支路通過電磁閥與所述反應腔室連接，另一支路依次通過電磁閥、分子泵以及擺閥與所述反應腔室連接；

所述第二機械泵通過所述電磁閥與所述預抽腔室連接；

所述真空計分別與所述預抽腔室和反應腔室連接。

3.根據權利要求1所述的離子注入機，其特征在于，所述送片系統包括：

真空機械手及帶有彈性的多點支撐式的持片結構的下電極；

所述真空機械手將硅片從所述預抽腔室運輸至所述反應腔室；

所述下電極將所述硅片固定于所述反應腔室上方。

4.根據權利要求1所述的離子注入機，其特征在于，還包括送氣系統，所述送氣系統包括：

氣源、質量流量控制器和電磁閥；

所述氣源依次通過所述質量流量控制器、電磁閥與所述反應腔室連接。

5.根據權利要求1所述的離子注入機，其特征在于，所述電源系統包括：

射頻電源、射頻電源匹配器及脈沖電源；

所述脈沖電源與所述反應腔室連接；所述射頻電源通過所述射頻電源匹配器與所述反應腔室連接。

6.根據權利要求1-5任一項所述的離子注入機，其特征在于：

所述上位機采用型號為S3C2440的處理器。