[發明專利]場效應晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201110388714.0
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN103137691A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 馬中發;莊弈琪;張策;吳勇;張鵬;凌宇
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種場效應晶體管，包括柵區、源區、漏區、溝道區和襯底，其特征在于，所述源區和所述漏區位于所述溝道區的兩側，所述柵區位于所述溝道區的上方和下方，所述源區和所述漏區以及所述柵區設置在所述襯底上。

2.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述柵區包括頂柵介質層和底柵介質層，所述頂柵介質層設置在所述溝道區的上方，所述底柵介質層設置于所述襯底上靠近所述溝道區的一面。

3.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述頂柵介質層和所述底柵介質層采用HfO₂作為介質。

4.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述柵區還包括柵電極，所述柵電極的材料為Cr與Au的組合或Ti與Au的組合。

5.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述源區包括源電極，所述漏區包括漏電極，所述源電極和所述漏電極的材料為Au或Ti與Au的組合。

6.根據權利要求1所述的場效應晶體管，其特征在于，所述溝道區采用單層MoS₂晶體作為溝道介質。

7.一種場效應晶體管的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

在硅襯底上用原子層淀積方法形成一層HfO₂層作為底柵介質層；

將MoS₂轉移到具有HfO₂層的硅襯底上；

在源區和漏區制作源電極和漏電極；

用原子層淀積方法形成一層HfO₂層作為頂柵介質層；

制作頂柵電極。

8.根據權利要求7所述的場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述頂柵介質層和所述底柵介質層的厚度為30納米。

9.根據權利要求7所述的場效應晶體管的制作方法，其特征在于，還包括步驟如下，

采用微機械剝離或者液相制備MoS₂；

用原子力顯微鏡來檢測襯底上HfO₂層的厚度，找出單層的MoS₂。

10.根據權利要求7所述的場效應晶體管的制作方法，其特征在于，所述源電極和所述漏電極的材料為Au或Ti與Au的組合，所述柵電極的材料為Cr與Au的組合或Ti與Au的組合，所述源電極和所述漏電極以及所述柵電極采用電子束光刻技術進行制作。