[發明專利]一種可控硅器件有效

申請號：	201110388698.5	申請日：	2011-11-29
公開（公告）號：	CN102437174A	公開（公告）日：	2012-05-02
發明（設計）人：	何軍	申請（專利權）人：	上海宏力半導體制造有限公司
主分類號：	H01L29/06	分類號：	H01L29/06;H01L29/74
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	鄭瑋
地址：	201203 上海市浦***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種可控硅器件
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【權利要求書】：

1.一種可控硅器件，包括P型襯底，P型襯底上設有緊密相連的N阱與P阱，其特征在于：該N阱包含多個第一P+注入區及一第一N+注入區，除與該P阱相鄰的一側，每個第一P+注入區均被該第一N+注入區包圍；該P阱包含多個第二N+注入區及一第二P+注入區，除與該N阱相鄰的一側，每個第二N+注入區均被該第二P+注入區包圍。

2.如權利要求1所述的可控硅器件，其特征在于：該第一N+注入區形成“E”字形。

3.如權利要求1或2所述的可控硅器件，其特征在于：該第二P+注入區形成“E”字形。

4.如權利要求1所述的可控硅器件，其特征在于：該些第一P+注入區與該第一N+注入區連接電學陽極；該些第二N+注入區與該第二P+注入區連接電學陰極。

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