[發(fā)明專利]獨(dú)立、有序的氧化鈦納米管陣列薄膜的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110388594.4 | 申請日： | 2011-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN102433579A | 公開（公告）日： | 2012-05-02 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 羅建強(qiáng);孫靜;高濂;劉陽橋 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 |
| 主分類號： | C25D11/26 | 分類號： | C25D11/26 |
| 代理公司： | 上海瀚橋?qū)＠硎聞?wù)所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;鄭優(yōu)麗 |
| 地址： | 200050 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 獨(dú)立 有序 氧化 納米 陣列 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種獨(dú)立、有序的氧化鈦納米管陣列薄膜的制備方法，其特征在于，包括：
對鈦基進(jìn)行陽極氧化處理以在所述鈦基上形成氧化鈦納米管陣列薄膜；
對所得氧化鈦納米管陣列薄膜進(jìn)行水浸泡處理；以及
緩慢干燥處理揮發(fā)水分以使所述氧化鈦納米管陣列薄膜脫離所述鈦基形成所述獨(dú)立、有序的氧化鈦納米管陣列薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述水浸泡處理的時(shí)間為6～80小時(shí)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述水浸泡處理的時(shí)間為12～48小時(shí)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述水為蒸餾水。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，還包括在所述水浸泡處理之前對所得氧化鈦納米管陣列薄膜進(jìn)行超聲處理0～5分鐘。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2、3或5所述的制備方法，其特征在于，在所述緩慢干燥處理中，對所述鈦基施加作用力。
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