[發(fā)明專(zhuān)利]絕緣柵雙極型晶體管及其制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110388471.0 | 申請(qǐng)日： | 2011-11-29 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN102394244B | 公開(kāi)（公告）日： | 2017-07-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 茍鴻雁 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L29/739 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國(guó)省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 絕緣 柵雙極型 晶體管 及其 制造 方法 | ||
1.一種絕緣柵雙極型晶體管，其包括：集電極、漂移區(qū)、發(fā)射極以及柵極；其特征在于，在所述發(fā)射極中布置了溝槽填充區(qū)域，并且所述溝槽填充區(qū)域的底部位于漂移區(qū)，且靠近發(fā)射極與漂移區(qū)的PN結(jié)處；所述溝槽填充區(qū)域中自底部到頂部依次填充了氧化物、多晶硅以及金屬，所述氧化物是氧化硅，所述金屬形成了溝槽電極；并且所述溝槽電極與所述發(fā)射極相連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述金屬是金屬鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣柵雙極型晶體管，其特征在于，所述集電極是P型集電極；所述漂移區(qū)是N型漂移區(qū)；所述發(fā)射極是P型發(fā)射極。
4.一種絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于包括：
首先，在發(fā)射極處形成一個(gè)溝槽，所述溝槽的底部位于漂移區(qū)且靠近發(fā)射極與漂移區(qū)的PN結(jié)處；
然后，在溝槽中填充氧化物，所述氧化物是氧化硅；
此后，在溝槽中淀積多晶硅；
最后，在溝槽中淀積金屬以形成溝槽電極，并且使溝槽電極與絕緣柵雙極型晶體管的發(fā)射極相連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的絕緣柵雙極型晶體管制造方法，其特征在于，所述金屬是金屬鋁。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專(zhuān)門(mén)適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類(lèi)型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
