[發明專利]濕法刻蝕清洗設備

在審

• 申請號: 201110388463.6
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102437014A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 張凌越;王強;郭國超;楊勇;張瑞朋
• 申請（專利權）人: 上海宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/00
• 分類號: H01L21/00;B08B3/02
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

技術領域

本發明涉及半導體器件制造領域，更具體地說，本發明涉及一種濕法刻蝕清洗設備。

背景技術

濕法刻蝕是半導體器件制造過程中常見的工藝。濕法刻蝕是一種傳統的刻蝕方法。在濕法刻蝕過程中，硅片被浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，由此使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去。如圖1所示，硅襯底30上的被刻蝕層20上布置了抗蝕劑10，未被抗蝕劑10覆蓋的被刻蝕區域A由于化學試劑的作用被去除。

例如，用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態環境中進行刻蝕的方法稱為“濕法”刻蝕。濕法刻蝕的優點操作簡便；對設備要求低；易于實現大批量生產；刻蝕的選擇性好。

但是，在濕法蝕刻中，晶片在化學藥液槽中完成濕法刻蝕后，機械手臂將晶片從化學藥液槽中取出，化學藥液殘留在晶片表面并繼續刻蝕晶片表面的二氧化硅膜。由此，需要將晶片放入水槽清洗；并且一般采用去離子水來清洗殘留的化學藥液。

晶片進入水槽后，水管噴出去離子水沖洗晶片表面殘留化學藥液。去離子水流量大時，晶片表面殘留化學藥液被很快沖干凈，表面的二氧化硅膜被殘留化學藥液刻蝕量少。反之，去離子水流量小時，晶片表面殘留化學藥液被沖洗干凈需要時間長，表面的二氧化硅膜被殘留化學藥液刻蝕量大。

所以，當水槽里水管不同孔中噴出去離子水流量不均勻時，濕法刻蝕后的晶片之間的均勻性較差。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是針對現有技術中存在上述缺陷，提供一種能夠改善濕法刻蝕后的晶片之間的均勻性的濕法刻蝕清洗設備。

根據本發明的第一方面，提供了一種濕法刻蝕清洗設備，其包括去離子水管和用于布置晶片的水槽，每個去離子水管上均布置了多個排水孔，其中所述去離子水管用于利用排水孔向水槽中的晶片噴射去離子水。

優選地，每個去離子水管上布置了3排水孔，其中第一排孔用于向晶片中心方向出水，第二排孔用于向水槽側壁方向出水，第三排孔用于向水槽底部方向出水。

優選地，每根去離子水管上的每排去離子水管的排水孔的數量為濕法刻蝕清洗設備的水槽中可布置的總晶片數加2。

優選地，每根去離子水管的直徑在0.018-0.03m的范圍內。

本發明通過優化水槽里的去離子水管、去離子水管上的排水孔的尺寸、以及去離子水管上的排水孔的排列方式中的至少一個，可以使去離子水管上每個排水孔噴出去離子水流量均勻一致，從而使每片晶片上獲得均勻的去離子水流量和好的刻蝕速率片間均勻性。

附圖說明

結合附圖，并通過參考下面的詳細描述，將會更容易地對本發明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優點和特征，其中：

圖1示出了濕法刻蝕的示意圖。

圖2示出了根據本發明實施例的濕法刻蝕清洗設備的去離子水管的結構示意圖。

圖3示出了根據本發明實施例的濕法刻蝕清洗設備的去離子水管的另一結構示意圖。

需要說明的是，附圖用于說明本發明，而非限制本發明。注意，表示結構的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標有相同或者類似的標號。

具體實施方式

為了使本發明的內容更加清楚和易懂，下面結合具體實施例和附圖對本發明的內容進行詳細描述。

圖2示出了根據本發明實施例的濕法刻蝕清洗設備的去離子水管的結構示意圖。

根據本發明實施例的濕法刻蝕清洗設備包括去離子水管(如圖2所示)和用于布置晶片的水槽(未示出)，該去離子水管的結構如圖2所示。該圖示出了兩個水管AA、BB的情況，需要說明的是，濕法刻蝕清洗設備中水管的數量并不限于兩個。

去離子水管向水槽中的晶片噴射去離子水。

優選地，每個去離子水管均布置了3排水孔。

具體地說，例如，去離子水管AA上布置了3排水孔A1、A2和A3，第一排孔A1用于向晶片中心方向出水，第二排孔A2用于向水槽側壁方向出水，第三排孔A3用于向水槽底部方向出水。同樣的，去離子水管BB上布置了3排水孔B1、B2和B3，第一排孔B1用于向晶片中心方向出水，第二排孔B2用于向水槽側壁方向出水，第三排孔B3用于向水槽底部方向出水。

圖3示出了根據本發明實施例的濕法刻蝕清洗設備的去離子水管的另一結構示意圖。