[發明專利]濕法刻蝕清洗設備以及濕法刻蝕清洗方法在審
| 申請號： | 201110388453.2 | 申請日： | 2011-11-29 |
| 公開（公告）號： | CN102496560A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發明（設計）人： | 張凌越;郭國超;王強;楊勇;張瑞明 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;C23F1/08 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濕法 刻蝕 清洗 設備 以及 方法 | ||
1.一種濕法刻蝕清洗設備，其包括化學品槽液體分流板，所述化學品槽液體分流板包括第一封閉區R、第二封閉區S以及孔布置區，所述孔布置區上布置有多個孔，其特征在于，在化學品槽液體分流板的孔布置區中，在每兩個晶片放置位置之間布置一排孔，每排孔的數量不小于8個。
2.根據權利要求1所述的濕法刻蝕清洗設備，其特征在于，每排孔中，相距最遠的兩個孔之間的距離不小于晶片直徑。
3.根據權利要求1或2所述的濕法刻蝕清洗設備，其特征在于，所有孔H具有相同的直徑。
4.根據權利要求1或2所述的濕法刻蝕清洗設備，其特征在于，每個孔H的直徑不大于3mm。
5.根據權利要求1或2所述的濕法刻蝕清洗設備，其特征在于，所述濕法刻蝕清洗設備在8liter/min的化學藥液流動速率下使用。
6.一種濕法刻蝕清洗方法，其特征在于利用化學品槽液體分流板在每兩個晶片之間布置一排孔，其中每排孔的數量不小于8個。
7.根據權利要求6所述的濕法刻蝕清洗方法，其特征在于，每排孔中，相距最遠的兩個孔之間的距離不小于晶片直徑。
8.根據權利要求6或7所述的濕法刻蝕清洗方法，其特征在于，所有孔H具有相同的直徑。
9.根據權利要求6或7所述的濕法刻蝕清洗方法，其特征在于，每個孔H的直徑不大于3mm。
10.根據權利要求6或7所述的濕法刻蝕清洗方法，其特征在于還包括將化學藥液流動速率控制為8liter/min。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
