[發明專利]RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法

有效

• 申請號: 201110388422.7
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN103137540A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 周正良;遇寒
• 申請（專利權）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀鐵

1.一種RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

第1步，在P型硅襯底(1)上生長P型外延(2)；

第2步，在P型外延(2)上生長一層氧化硅熱氧層(3)，在氧化硅熱氧層(3)上淀積一氮化硅層(4)，在氮化硅層(4)上再淀積一氧化硅層(5)，所述氧化硅熱氧層(3)、氮化硅層(4)和氧化硅層(5)的厚度依次增加，形成ONO疊層；對ONO疊層進行光刻和干刻，打開場氧形成處的ONO疊層；

第3步，進行光刻和干刻，間隔地打開ONO疊層，并在打開區域刻蝕深溝槽(7)，干刻去除ONO疊層中頂部的氧化硅層(5)；所述相鄰深溝槽(7)之間為側壁(8)，所述側壁(8)的寬度為常規場氧厚度的0.5～0.7，深溝槽(7)的寬度等于側壁(8)的寬度加0.5～2.0μm；

第4步，對整個硅片進行場氧化形成常規場氧(9)，并完全消耗側壁(8)，深溝槽(7)的寬度在0.5μm以上；

第5步，淀積非摻雜的多晶硅(10)，回刻去除氮化硅層(5)上方及氮化硅層(5)之間的多晶硅，并使深溝槽(7)中多晶硅的高度低于非場氧區硅基板的高度，多晶硅(10)與非場氧區硅基板之間的高度差為800～2000埃；

第6步，進行二次熱氧化，在多晶硅(10)上方形成多晶硅再氧化層(11)，所述多晶硅再氧化層(11)與常規場氧(9)齊平；

第7步，去除氮化硅層(4)和氧化硅熱氧層(3)。

2.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第1步中，所述P型硅襯底(1)為重摻雜，摻雜濃度在10²⁰cm^-3以上。

3.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第1步中，所述P型外延(2)為低摻雜，摻雜濃度為10¹⁴～1O¹⁶cm^-3。

4.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第1步中，所述P型外延(2)的厚度與器件的擊穿電壓之間的關系為，P型外延(2)厚度每增加1μm，擊穿電壓提高10～12伏。

5.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第2步中，所述氧化硅熱氧層(3)的厚度為200～500埃，氮化硅層(4)的厚度為1200～2500埃，氧化硅層(5)的厚度為3000～8000埃。

6.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第2步中，干刻ONO疊層形成場氧的硅凹進(6)，凹進深度是常規場氧厚度的0.3～0.4倍。

7.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第3步中，刻蝕的深溝槽(7)底部位于P型外延(2)中。

8.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第3步中，深溝槽(7)底部刻蝕至P型硅襯底(1)上。

9.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第5步中淀積的多晶硅(10)厚度是第4步中深溝槽(7)寬度的1.2倍以上。

10.根據權利要求1所述的RFLDMOS的厚隔離介質層結構的制造方法，其特征在于，第6步中，所述多晶硅再氧化層(11)的厚度為2000～5000埃。