[發(fā)明專利]一種溝槽型絕緣柵場效應(yīng)管及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110388408.7
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN103137690B
• 公開（公告）日: 2016-10-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王邦麟;王雷;王海軍
• 申請（專利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336
• 代理公司: 上海浦一知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

1.一種溝槽型絕緣柵場效應(yīng)管，包括P型注入?yún)^(qū)上方形成有N型外延層，N型外延層上方形成有多個(gè)P阱和溝槽，各P阱通過多溝槽彼此隔離；每個(gè)P阱的頂部形成有N型有源區(qū)和P型有源區(qū)，所述P型有源區(qū)將N型有源區(qū)隔離成兩部分，所述N型有源區(qū)與溝槽相鄰，所述溝槽內(nèi)具有柵氧化層和多晶硅柵，所述柵氧化層位于多晶硅柵兩側(cè)和下方；其特征是：所述多晶硅柵底部中間位置向多晶硅柵頂部凹陷。

2.一種溝槽型絕緣柵場效應(yīng)管的制造方法，其特征是，包括：

(1)在硅襯底上制作P型注入?yún)^(qū)，P型注入?yún)^(qū)上方制作N型外延層，刻蝕溝槽，注入形成P阱，生長氧化硅；

(2)淀積氮化硅；

(3)刻蝕去除部分氮化硅；

(4)刻蝕去除部分氧化硅；

(5)再次生長氧化硅，形成柵氧化層；

(6)去除氮化硅；

(7)在溝槽內(nèi)淀積多晶硅，形成多晶硅柵；

(8)刻蝕，注入形成N型有源區(qū)，注入形成P型有源區(qū)。