[發明專利]一種基于ZnO同質核殼結構納米棒陣列的有機/無機雜化太陽電池及其制備方法有效
| 申請號: | 201110387893.6 | 申請日: | 2011-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN102544378A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 吳璠;王命泰 | 申請(專利權)人: | 中國科學院等離子體物理研究所 |
| 主分類號: | H01L51/46 | 分類號: | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 zno 同質 結構 納米 陣列 有機 無機 太陽電池 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機/無機雜化太陽電池,其特征在于:包括有玻璃襯基、作為陽極的ITO層、ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列、ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒外包覆的由ZnO量子點組成的殼層、ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列表面修飾的N719有機分子層、MEH-PPV膜層、PEDOT:PSS空穴傳輸層以及作為電池的陰極的Au膜層;所述的ITO層鍍在玻璃襯基上作為電池的陽極,以垂直生長于ITO層之上的ZnO納米棒-量子點同質結構納米棒陣列為電池的電子傳輸通道,用MEH-PPV為光吸收材料且MEH-PPV填充到ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒的間隙之中,同時在ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列上方形成MEH-PPV膜層,在MEH-PPV膜層上沉積PEDOT:PSS作為空穴傳輸層,在空穴傳輸層上沉積Au膜作為電池的陰極。
2.根據權利要求1所述的一種有機/無機雜化太陽電池,其特征在于:所述的空穴傳輸層優選由在MEH-PPV膜層上沉積PEDOT:PSS和異丙醇組成的混合液而得,所述的PEDOT:PSS和異丙醇的體積比為1∶0.5-1.5。
3.根據權利要求1所述的一種有機/無機雜化太陽電池,其特征在于:ITO層的厚度為50-200nm,ZnO納米棒-量子點同質核殼結構陣列的長度為150-700nm、直徑為20-90nm、棒的數量密度為3-6×102個/μm2,ZnO殼層厚度為5-20nm,位于ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列上方的MEH-PPV膜層厚度為30-200nm,PEDOT:PSS層厚度為40-80nm,Au膜厚度為60-120nm。
4.一種權利要求1所述的有機/無機雜化太陽電池的制備方法,其特征在于包括以下步驟:
A、將ITO導電玻璃上的ITO用濃鹽酸和Zn粉刻蝕成細條,再經丙酮、異丙醇、超純水超聲清洗干凈,干燥后得經過處理的ITO導電玻璃備用;
將0.12-0.20克醋酸鋅溶解于0.8-1.2克水中,待完全溶解后加入3-5毫升無水乙醇,再滴加80-120微升冰醋酸,將得到的混合物在室溫下攪拌1.8-2.2小時,再將所得的無色澄清透明溶液旋涂于經過處理的ITO導電玻璃上,得到均勻的醋酸鋅薄膜,接著在馬弗爐中于320-380℃下煅燒18-22分鐘得到覆蓋在ITO導電基片上的ZnO致密薄膜,將其置于0.04mol/L硝酸鋅[ZnO(NO3)2·6H2O]和0.04mol/L六亞甲基四胺組成的水溶液中,密封后于85-95℃烘箱中反應1.8-2.2小時,得到ZnO納米棒陣列;
B、在室溫下,將步驟A所得ZnO納米棒陣列置于盛有濃度為0.01-0.03mol/L的醋酸鋅乙醇溶液的高壓釜中,密封后于90-100℃烘箱中反應1-4小時,得到由ZnO量子點組成的多晶膜為殼層的垂直生長于ITO層之上的ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列,ZnO殼層的厚度由高壓釜中的反應時間控制在5-20nm;
C、將B步驟得到ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列置于盛有濃度為2-8×10-6mol/L的N719乙醇溶液的高壓釜中,密封后于70-90℃烘箱中反應6-10小時,得到N719修飾的ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列;
D、將以氯苯為溶劑且濃度為5-20mg/mL的MEH-PPV的溶液于室溫下旋涂到C步驟所得的N719改性的ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列上,并在惰性氣體保護下于120-180℃熱處理5-30分鐘,使得MEH-PPV填充到ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒的間隙之中并在ZnO納米棒-量子點同質核殼結構納米棒陣列上方形成MEH-PPV膜層;
E、在步驟D所得的MEH-PPV膜層上旋涂一層體積比為1∶0.5-1.5的PEDOT:PSS和異丙醇組成的混合液或PEDOT:PSS溶液,在惰性氣體保護下于100℃下熱處理5-30分鐘,得到PEDOT:PSS膜層作為空穴傳導層,在PEDOT:PSS膜層上通過熱蒸發方法蒸鍍厚度為60-120nm的Au膜,得到雜化太陽電池;
F、將雜化太陽電池在惰性氣體保護下進行封裝即得產品。
5.根據權利要求4所述的有機/無機雜化太陽電池的制備方法,其特征在于:步驟A所述的ITO導電玻璃的玻璃襯基可以用其他透明物質代替。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





