[發明專利]一種薄膜晶體管及其制作方法

無效

• 申請號: 201110387774.0
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102437178A
• 公開（公告）日: 2012-05-02
• 發明（設計）人: 張洪亮;萬青;竺立強;吳國棟;肖惠
• 申請（專利權）人: 中國科學院寧波材料技術與工程研究所
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/10;H01L29/786;H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 北京鴻元知識產權代理有限公司 11327
• 代理人: 陳英俊

1.一種薄膜晶體管，包括柵極、柵極介質層、導電溝道層、源極和漏極，其特征是：所述的柵極是具有立體結構的導電材料，沿與其長度方向平行的中心軸線，該導電材料呈中心軸對稱結構；沿其長度方法，所述的導電材料的一端作為柵極接觸部分；所述的柵極介質層包覆在所述柵極的除柵極接觸部分以外其余部分的外圍；所述的導電溝道層包覆在柵極介質層外圍；所述的源極和漏極分別設置在導電溝道層外圍。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征是：所述的導電材料的立體結構是柱體狀結構、細長針狀結構或者錐體狀結構。

3.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征是：所述的導電材料的橫截面是圓形、三角形、正方形或者長方形。

4.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征是：所述的導電材料包括普通鋁導體，銅導體或者碳纖維等導電材料。

5.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征是：所述的導電材料的柵極介質層包括二氧化硅薄膜，氧化鋁或者氧化鉿薄膜；所述的導電溝道層包括氧化銦錫薄膜、銦鋅氧薄膜、銦鎵鋅氧薄膜、二氧化錫薄膜和有機半導體薄膜。

6.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征是：包括如下步驟：

步驟1：選取清潔的導電材料作為晶體管的柵極，該導電材料具有立體結構，沿著與其長度方向平行的中心軸線，該導電材料呈中心軸對稱結構；

步驟2：沿所述導電材料的長度方向，該導電材料的一端作為柵極接觸部分被遮蓋或隱藏，其余部分的外圍采用鍍膜工藝制作柵極介質層；

步驟3：采用鍍膜工藝在柵極介質層外圍制作導電溝道層；

步驟4：在所述的導電溝道層外圍設置源極和漏極。

7.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征是：所述的導電材料的立體結構是圓柱狀結構、細長針狀結構、圓錐狀結構。

8.根據權利要求6所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征是：所述的導電材料的橫截面是圓形、三角形、正方形、長方形。

9.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征是：所述的導電材料包括普通鋁導線，銅導線或者碳纖維等導電材料。

10.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征是：所述的導電材料的柵極介質層包括二氧化硅薄膜或者氧化鋁薄膜；所述的導電溝道層包括氧化銦錫薄膜、銦鋅氧薄膜、銦鎵鋅氧薄膜、二氧化錫薄膜和有機半導體薄膜層。