[發明專利]半導體器件的含導電顆粒的絕緣體與半導體構成的耐壓層

無效

• 申請號: 201110387593.8
• 申請日: 2011-11-30
• 公開（公告）號: CN103137658A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 陳星弼
• 申請（專利權）人: 成都成電知力微電子設計有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78;H01L29/872;H01L29/739;H01L29/74;H01L29/73
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 孫寶海

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括一個第一主表面和一個與所述第一主表面相對的第二主表面，在所述第一主表面和所述第二主表面內至少含有一個元胞，所述元胞在緊貼所述第一主表面內有一個器件的第一特征區，在緊貼所述第二主表面內有一個器件的第二特征區，在器件的所述第一特征區和所述第二特征區之間存在一個耐壓區，其特征在于：所述耐壓區包括至少一個半導體區和一個含導電顆粒的絕緣體區，所述半導體區和所述含導電顆粒的絕緣體區之間有相互直接連接的面；

所述半導體器件至少有兩個電極；一個電極緊貼于所述第一主表面的部分區域或全部區域；另一個電極緊貼于所述第二主表面的部分區域或全部區域；兩個電極在所述第一主表面和所述第二主表面所夾的空間的外部。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

所述耐壓區中的含導電顆粒的絕緣體區中的導電顆粒是均勻分布的，或是不均勻分布的，含導電顆粒的絕緣體區中的絕緣體是一種單一化學成分的材料，或不是一種單一化學成分的材料。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述的半導體器件由多個元胞的密堆積形成的；在器件的所述第一特征區和所述第二特征區之間的一個剖面上，耐壓區的構造是叉指條形結構，或六角形結構，或長方形結構，或方塊形結構，或鑲嵌方塊形結構；

在離開所述第一主表面的不同距離的剖面上，含導電顆粒的絕緣體區的面積與半導體區的面積的比例是不變的或是變化的。

4.根據權利要求1所述半導體器件，其特征在于，所述耐壓區中的半導體區包括第一種導電類型的半導體區與/或第二種導電類型的半導體區。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述器件的第二特征區為一個第一種導電類型的半導體區；

所述器件的第一特征區包含一個與耐壓區中的半導體區直接連接的第二種導電類型的半導體區；

所述第一特征區還包含一個與耐壓區中含導電顆粒的絕緣體區相連接的第二種導電類型的半導體區或一個導體區。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述器件的第二特征區有一個第二種導電類型的半導體區緊貼在所述第二主表面，還有一個與第二種導電類型的半導體區相連接的第一種導電類型的半導體區，所述第一種導電類型的半導體區又與耐壓區相連接；

所述器件的第一特征區包含一個與耐壓區中第一種導電類型的半導體區直接連接的第二種導電類型的半導體區；

所述器件的第一特征區還包含一個與耐壓區中含導電顆粒的絕緣體區相連接的第二種導電類型的半導體區或一個導體區。

7.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是金-半接觸的肖特基二極管，所述器件的第二特征區是一個第一種導電類型的半導體區；

所述器件的第一特征區為金屬，所述金屬與耐壓區中的第一種導電類型的半導體材料直接連接；

所述器件的第一特征區及所述器件的第二特征區各有導體連出分別作為肖特基二極管的兩個電極；

所述器件的第一特征區還包含一個與耐壓區中含導電顆粒的絕緣體區相連接的第二種導電類型的半導體區或一個導體區。

8.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述半導體器件是一個JBS整流器或一個MPS整流器，所述器件的第二特征區是一個第一種導電類型的半導體區；

所述器件的第一特征區含有一個金屬區，所述金屬區與耐壓區中的第一種導電類型的半導體區有直接連接；

所述器件的第一特征區還含有第二種導電類型的半導體區，它與耐壓區中的第一種導電類型的半導體區有直接連接還與所述金屬區直接連接；

所述器件的第一特征區及所述器件的第二特征區各有導體連出分別作為JBS整流器或一個MPS整流器的兩個電極。