[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110387384.3 | 申請日: | 2011-11-29 |
| 公開(公告)號: | CN103137878A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周明杰;王平;黃輝;梁祿生 | 申請(專利權)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/52 |
| 代理公司: | 深圳市隆天聯(lián)鼎知識產(chǎn)權代理有限公司 44232 | 代理人: | 劉抗美;周惠來 |
| 地址: | 518000 廣東省深*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 電致發(fā)光 器件 及其 制備 方法 | ||
1.一種有機電致發(fā)光器件,其包括陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極,其特征在于,在陽極的與空穴注入層相反的表面上形成有氧化鋅增透膜。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件,其中,所述氧化鋅增透膜的厚度是50nm~200nm。
3.如權利要求2所述的有機電致發(fā)光器件,其中,所述氧化鋅增透膜的厚度是80nm~150nm。
4.一種有機電致發(fā)光器件的制造方法,其用于制造權利要求1~3中任一項所述的有機電致發(fā)光器件,其特征在于,包括在陽極的與空穴注入層相反的表面上形成氧化鋅增透膜的工序。
5.如權利要求4所述的有機電致發(fā)光器件的制造方法,其中,所述氧化鋅增透膜的厚度是50nm~200nm。
6.如權利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制造方法,其中,所述氧化鋅增透膜的厚度是80nm~150nm。
7.?如權利要求4所述的有機電致發(fā)光器件的制造方法,其中,所述在陽極的與空穴注入層相反的表面上形成氧化鋅增透膜的工序,包括將ZnO前驅體溶液涂覆到陽極的與空穴注入層相反的表面上形成氧化鋅膜的步驟。
8.如權利要求7所述的有機電致發(fā)光器件的制造方法,其中,所述ZnO前驅體溶液是通過硫酸鋅、硝酸鋅、或氯化鋅與碳酸銨、醋酸銨、甲酸銨、或碳酸氫銨配置而成。
9.如權利要求7所述的有機電致發(fā)光器件的制造方法,其中,所述在陽極的與空穴注入層相反的表面上形成氧化鋅增透膜的工序,還包括對形成的氧化鋅膜進行煅燒的步驟。
10.如權利要求9所述的有機電致發(fā)光器件的制造方法,其中,所述煅燒是在450℃下煅燒20~60min。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





