[發明專利]一種用于等離子體偵測的裝置

無效

• 申請號: 201110386891.5
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102543788A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 李程;張瑜;楊渝書
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01J37/32
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種用于等離子體偵測的裝置，包括設置有等離子體的等離子體發生腔體，其特征在于，還包括：

一設置于該等離子體發生腔體內的探測傳感器，以用于偵測等離子體的特征參數；

其中，該探測傳感器的外殼外部設置有與所述等離子材質相同的抗干擾層。

2.根據權利要求1所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，還包括一高度調節裝置，探測傳感器設置在該高度調節裝置上。

3.根據權利要求1或2所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，探測傳感器為朗繆爾靜電探針。

4.根據權利要求3所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，朗繆爾靜電探針為單針型、雙針型或發射型。

5.根據權利要求3所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，所述探測傳感器的外殼為絕緣外層或內絕緣的金屬外層。

6.根據權利要求1所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，采用CVD或PVD工藝淀積抗干擾層。

7.根據權利要求1或6所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，抗干擾層的材質為SiO₂、Si₃N₄或Si。

8.根據權利要求1所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，所述特征參數包括電子溫度、電子密度、空間電位、懸浮電位與電子能量分布函數。

9.根據權利要求1或2所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，探測傳感器為平面結構的星形、環形或星形與環形相結合形狀。

10.根據權利要求1或2所述的用于等離子體偵測的裝置，其特征在于，探測傳感器的探測點根據測量需求設置在不同位置。