[發明專利]一種平面浮柵閃存器件及其制備方法

無效

• 申請號: 201110386765.X
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN103137626A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 劉明;姜丹丹;霍宗亮;張滿紅;劉璟;謝常青
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/8247
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 宋焰琴

1.一種平面浮柵閃存器件，其特征在于，包括：

襯底；

溝道區，位于所述襯底的上方；

柵堆棧，形成于所述溝道區的上方；

控制柵介質層，形成于所述柵堆棧的上方；以及

源端和漏端，分別形成于所述溝道區的兩側，由不同類型的粒子摻雜入襯底形成，其中，與所述襯底摻雜類型相同的一端為源端，另一端為漏端。

2.根據權利要求1所述的平面浮柵閃存器件，其特征在于，所述源端和漏端中，摻雜濃度均大于1e²⁰cm^-3。

3.根據權利要求1所述的平面浮柵閃存器件，其特征在于，所述源端和漏端中，摻雜的深度均小于300nm。

4.根據權利要求1所述的平面浮柵閃存器件，其特征在于：

所述襯底為本征硅或P型硅，源端為P型摻雜，漏端為N型摻雜；或

所述襯底為N型硅，源端為N+摻雜，漏端為P型摻雜。

5.根據權利要求1至4任一項中所述的平面浮柵閃存器件，其特征在于，所述柵堆棧包括：

隧穿介質層，形成于所述溝道區的上方；

浮柵存儲層，形成于所述隧穿介質層的上方；

阻塞介質層，形成于所述浮柵存儲層和所述控制柵介質層之間。

6.根據權利要求5所述的平面浮柵閃存器件，其特征在于，

所述隧穿介質層為SiO₂層，其厚度介于4nm至8nm之間；

所述浮柵存儲層為多晶硅層，其厚度介于10nm至100nm之間；

所述阻塞介質層為高溫氧化層，其厚度介于10nm至20nm之間。

7.一種平面浮柵閃存器件的制備方法，其特征在于，包括：

在襯底上沉積形成柵堆棧；

在所述柵堆棧上沉積形成控制柵介質層；

在襯底溝道區的兩側分別進行不同類型的摻雜，從而形成源端和漏端，其中，與所述襯底摻雜類型相同的一端為源端，另一端為漏端。

8.根據權利要求7所述的平面浮柵閃存器件制備方法，其特征在于，所述源端和漏端中，摻雜濃度均大于1e²⁰cm^-3。

9.根據權利要求7所述的平面浮柵閃存器件制備方法，其特征在于，所述源端和漏端中，摻雜的深度均小于300nm。

10.根據權利要求7至9中任一項所述的平面浮柵閃存器件制備方法，其特征在于，所述在襯底溝道區的兩側分別進行不同類型的摻雜的步驟包括：

在襯底溝道區的兩側由擴散或離子注入的方式分別進行不同類型的摻雜，從而形成源端和漏端。

11.根據權利要求7至9中任一項所述的平面浮柵閃存器件制備方法，其特征在于，所述在襯底上沉積形成柵堆棧的步驟包括：

在所述襯底上沉積形成隧穿介質層；

在所述隧穿介質層上沉積形成浮柵存儲層；

在所述浮柵存儲層上沉積形成阻塞介質層。

12.根據權利要求11所述的平面浮柵閃存器件制備方法，其特征在于，

所述在襯底上沉積形成隧穿介質層的步驟包括：在硅襯底上氧化生長形成厚度為4nm至8nm的SiO₂隧穿介質層；

所述在隧穿介質層上沉積形成浮柵存儲層的步驟包括：在SiO₂隧穿介質層上采用CVD的方法淀積厚度為10nm至100nm的多晶硅浮柵存儲層；

所述在浮柵存儲層上沉積形成阻塞介質層的步驟包括：在多晶硅浮柵存儲層上采用CVD的方法淀積厚度為10nm至20nm的高溫氧化層。