[發(fā)明專利]同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110386758.X
• 申請(qǐng)日: 2011-11-29
• 公開（公告）號(hào): CN102540758A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王劍;毛智彪;戴韞青
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號(hào): G03F7/20
• 分類號(hào): G03F7/20;G03F7/16
• 代理公司: 上海新天專利代理有限公司 31213
• 代理人: 王敏杰

1.一種同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，所述光刻涂布裝置包括相連的光阻涂布機(jī)和光刻機(jī)，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1，設(shè)計(jì)基準(zhǔn)晶圓和基準(zhǔn)圖形；

步驟2，以一系列的曝光參數(shù)下的第一光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第一圖形，并量測(cè)第一圖形的尺寸結(jié)構(gòu)，所述第一圖形的線寬尺寸與所述基準(zhǔn)圖形相同；

步驟3，以一系列的曝光參數(shù)下的第二光刻涂布裝置曝光基準(zhǔn)晶圓，得到一系列的第二圖形，并量測(cè)第二圖形的尺寸結(jié)構(gòu)，所述第二光刻涂布裝置與第一光刻涂布裝置應(yīng)用于同一光刻工藝中，所述第二圖形的線寬尺寸與所述基準(zhǔn)圖形相同；

步驟4，選取相同尺寸結(jié)構(gòu)的第一圖形和第二圖形所對(duì)應(yīng)的曝光參數(shù)作為第一光刻涂布裝置和第二光刻涂布裝置的相應(yīng)的基準(zhǔn)曝光參數(shù)。

2.如權(quán)利要求1所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于，所述曝光參數(shù)為數(shù)值孔徑或照明相干因子。

3.如權(quán)利要求1所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于，所述第一光刻涂布裝置和/或第二光刻涂布裝置中的光刻機(jī)為浸潤(rùn)式光刻機(jī)。

4.如權(quán)利要求3所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于，所述浸潤(rùn)式光刻機(jī)中的紫外線的波長(zhǎng)為248nm或193nm。

5.如權(quán)利要求1所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于，所述基準(zhǔn)圖形的圖形結(jié)構(gòu)為密集線條、隔離線條、頭對(duì)頭線條或T字形線條。

6.如權(quán)利要求1所述的同一光刻工藝中不同光刻涂布裝置的匹配方法，其特征在于，所述基準(zhǔn)圖形的線寬尺寸與所述同一光刻工藝的特征尺寸相同。