[發明專利]CMOS低噪聲放大電路

無效

• 申請號: 201110386665.7
• 申請日: 2011-11-29
• 公開（公告）號: CN102457233A
• 公開（公告）日: 2012-05-16
• 發明（設計）人: 舒應超;趙吉祥
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: H03F1/26
• 分類號: H03F1/26;H03F3/45
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

1.一種CMOS低噪聲放大電路，包括差分放大結構輸入匹配結構和輸出匹配結構，所述輸入匹配結構和輸出匹配結構分別連接差分放大結構的輸入端和輸出端，其特征在于，還包括負電容補償結構，所述負電容補償結構與所述差分放大結構連接。

2.根據權利要求1所述的CMOS低噪聲放大電路，其特征在于，所述差分放大結構包括第一共源共柵放大結構和第二共源共柵放大結構，所述第一共源共柵放大結構包括MOS管M₁和MOS管M₂，所述第二共源共柵放大結構包括MOS管M₅和MOS管M₆，MOS管M₁和MOS管M₅具有相同的溝道長度和寬度，MOS管M₂和MOS管M₆具有相同的溝道長度和寬度，所述MOS管M₁的漏極和MOS管M₂的源極連接，所述MOS管M₅和漏極和MOS管M₆的源極連接，所述MOS管M₂和MOS管M₆的柵極都連接V_DD，所述MOS管M₁和MOS管M₅得柵極為所述差分放大結構的輸入端，所述MOS管M₂和MOS管M₆的漏極為所述差分放大結構的輸出端，所述MOS管M₁和MOS管M₅的源極都接地。

3.根據權利要求2所述的CMOS低噪聲放大電路，其特征在于，所述負電容補償結構包括MOS管M₃、MOS管M₄、電容C₅、第一電流源和第二電流源，MOS管M₃和MOS管M₄具有相同的溝道長度和寬度，所述MOS管M₃的柵極連接所述MOS管M₄的漏極并與MOS管M₅的漏極連接，所述MOS管M₃的漏極連接所述MOS管M₄的源極并與MOS管M₁的漏極連接，所述電容C₅跨接在所述MOS管M₃和所述MOS管M₄的源極之間，所述MOS管M₃的源極通過第一電流源接地，所述MOS管M₄的源極通過第二電流源接地。

4.根據權利要求2或3所述的CMOS低噪聲放大電路，其特征在于，所述輸入匹配結構包括電容C₃、電容C₄、電感L₃和電感L₄，所述電容C₃和電感L₃串聯后串接在MOS管M₁的柵極上，所述電容C₄和電感L₅串聯后串接在MOS管M₅的柵極上。

5.根據權利要求2或3所述的CMOS低噪聲放大電路，其特征在于，所述輸出匹配結構包括電感L₁、電感L₂、電阻R₁、電阻R₂、電容C₁₁、電容C₁₂、電容C₂₁、電容C₂₂；所述電阻R₁和電感L₁并聯以后串接在MOS管M₂的漏極和V_DD之間；所述電阻R₂和電感L₂并聯以后串接在MOS管M₆的漏極和V_DD之間；所述電容C₁₁一端連接MOS管M₂的漏極，另一端接地；所述電容C₁₂一端連接MOS管M₆的漏極，另一端接地；所述電容C₂₁串接在MOS管M₂的漏極和輸出端之間，所述電容C₂₂串接在MOS管M₆的漏極和輸出端之間。

6.根據權利要求2所述的CMOS低噪聲放大電路，其特征在于，所述MOS管M₁的源極通過電感L₅接地，所述MOS管M₅的源極通過電感L₆接地。