[發明專利]半導體晶片制造中的污染控制方法及裝置

有效

• 申請號: 201110386260.3
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102412174A
• 公開（公告）日: 2012-04-11
• 發明（設計）人: 張海芳;婁曉琪;俞曉菁
• 申請（專利權）人: 上海華力微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/66
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 章侃銥;張浴月

1.一種半導體晶片制造中的污染控制方法，應用于包括多個工藝段的晶片生產線，各工藝段對應不同類型的晶片盒，且相鄰的工藝段之間設有導片機，所述導片機用于將晶片批從前一工藝段對應類型的晶片盒交換至后一工藝段對應類型的晶片盒，其中，該方法包括以下步驟：

S1.在晶片批經過所述導片機時，判斷所述晶片批所經過的前一工藝段與預設的允許所述導片機進行晶片批交換的前一工藝段是否相符，判斷所述晶片批所經過的前一工藝段與所述晶片批所處的晶片盒的類型是否對應，并判斷所述晶片批帶有的污染標識與預設的所述導片機允許經過的污染標識是否相符；

S2.在上述判斷結果均為是時，控制所述導片機執行所述晶片批的交換；

S3.在所述導片機執行所述交換后，將所述晶片批的污染標識變更為與所述導片機執行晶片批交換的后一工藝段對應。

2.如權利要求1所述的半導體晶片制造中的污染控制方法，其中，所述步驟S1中還包括：

在所述晶片批經過所述導片機時，判斷所述導片機將要進行晶片批交換的后一工藝段對應類型的晶片盒是否存在。

3.如權利要求1或2所述的半導體晶片制造中的污染控制方法，其中，所述步驟S2還包括：在上述判斷結果不均為是時，控制所述導片機暫停執行所述晶片批的交換。

4.如權利要求3所述的半導體晶片制造中的污染控制方法，其中，所述步驟S2還包括：

在經所述步驟S1判斷得出所述晶片批帶有的污染標識與預設的所述導片機允許經過的污染標識不相符時，對所述晶片批執行污染去除處理，之后再返回所述步驟S1。

5.一種半導體晶片制造中的污染控制裝置，應用于包括多個工藝段的晶片生產線，各工藝段對應不同類型的晶片盒，且相鄰的工藝段之間設有導片機，所述導片機用于將晶片批從前一工藝段對應類型的晶片盒交換至后一工藝段對應類型的晶片盒，其中，該裝置包括：

條件檢測單元，用于在晶片批經過所述導片機時，判斷所述晶片批所經過的前一工藝段與預設的允許所述導片機進行晶片批交換的前一工藝段是否相符，判斷所述晶片批所經過的前一工藝段與所述晶片批所處的晶片盒的類型是否對應，并判斷所述晶片批帶有的污染標識與預設的所述導片機允許經過的污染標識是否相符；

命令執行單元，用于在所述條件檢測單元的上述判斷結果均為是時，控制所述導片機執行所述晶片批的交換；以及

標識變更單元，用于在所述導片機執行所述交換后，將所述晶片批的污染標識變更為與所述導片機執行晶片批交換的后一工藝段對應。

6.如權利要求5所述的半導體晶片制造中的污染控制裝置，其中，所述條件檢測單元還用于在所述晶片批經過所述導片機時，判斷所述導片機將要進行晶片批交換的后一工藝段對應類型的晶片盒是否存在。

7.如權利要求5或6所述的半導體晶片制造中的污染控制裝置，其中，所述命令執行單元還用于在所述條件檢測單元的上述判斷結果不均為是時，控制所述導片機暫停執行所述晶片批的交換。

8.如權利要求7所述的半導體晶片制造中的污染控制裝置，其中，還包括：污染去除單元，用于在經所述條件檢測單元判斷得出所述晶片批帶有的污染標識與預設的所述導片機允許經過的污染標識不相符時，對所述晶片批執行污染去除處理，之后再返回所述條件檢測單元進行判斷。