[發明專利]一種螢石型涂層導體緩沖層及其制備方法無效
| 申請號： | 201110386230.2 | 申請日： | 2011-11-28 |
| 公開（公告）號： | CN102491748A | 公開（公告）日： | 2012-06-13 |
| 發明（設計）人： | 金利華;盧亞鋒;馮建情;高玲;于澤銘;李成山 | 申請（專利權）人： | 西北有色金屬研究院 |
| 主分類號： | C04B35/48 | 分類號： | C04B35/48;C04B35/622 |
| 代理公司： | 西安創知專利事務所 61213 | 代理人： | 譚文琰 |
| 地址： | 710016*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 螢石 涂層 導體 緩沖 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種螢石型涂層導體緩沖層，其特征在于，該緩沖層的化學組成為MnxHf1-xO2，其中0.2≤x≤0.3。
2.一種制備如權利要求1所述緩沖層的方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：
步驟一、將乙酰丙酮錳和乙酰丙酮鉿按照摩爾比為x∶(1-x)的比例稱取后溶解于丙酸，配制成乙酰丙酮錳和乙酰丙酮鉿總摩爾濃度為0.1mol/L～1.0mol/L的前驅液，其中0.2≤x≤0.3；
步驟二、將步驟一中所述前驅液旋涂于基底上，然后將旋涂前驅液的基底置于管式爐中，在還原性氣氛中，以不低于25℃/min的升溫速率將爐內溫度從室溫升至900℃～1050℃，并保溫0.2h～1h，隨爐冷卻至室溫，得到螢石型MnxHf1-xO2緩沖層。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟一中所述丙酸為分析純試劑。
4.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟二中所述基底為LaAlO3基底或NiW/Y2O3/YSZ基底，其中，NiW為鎳鎢金屬基帶，YSZ是指釔穩定的氧化鋯。
5.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟二中所述旋涂的轉速為1000rpm～3000rpm，旋涂時間為10s～60s。
6.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，步驟二中所述還原性氣氛為氬氣與氫氣的混合氣氛，所述混合氣氛中氫氣的體積百分含量為4％。
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