[發(fā)明專(zhuān)利]用于射頻工藝中的電感地屏蔽結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110385996.9
• 申請(qǐng)日: 2011-11-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102412230A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-04-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蔡描;周天舒;黃景豐;李平梁
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹NEC電子有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 分類(lèi)號(hào): H01L23/522
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 丁紀(jì)鐵

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，屬于一種用于射頻工藝中的電感地屏蔽結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

片上電感是射頻CMOS或BiCMOS集成電路中的重要元件，廣泛應(yīng)用于壓控振蕩器、低噪聲放大器等各種射頻電路模塊中，其中電感的品質(zhì)因數(shù)對(duì)電路的性能具有重要的影響。

片上電感有多種形式的能量損耗機(jī)理，包括螺旋電感本身的電阻帶來(lái)的能量損耗、趨膚效應(yīng)、鄰近效應(yīng)、頂層金屬線圈傳導(dǎo)到襯底之間的位移電流損耗和襯底渦流效應(yīng)等，這些損耗機(jī)理都可以導(dǎo)致其品質(zhì)因數(shù)下降。

在普通的射頻工藝中采用的襯底電阻率較低，一般在8歐姆·厘米～20歐姆·厘米，在低電阻率襯底上制作的電感受到襯底渦流效應(yīng)的影響比較大，通常的作法是在襯底上制作地屏蔽結(jié)構(gòu)來(lái)減少襯底渦流。但是常規(guī)的地屏蔽結(jié)構(gòu)是通過(guò)接地環(huán)來(lái)接地的，如圖1所示，通過(guò)周?chē)蝗B接成環(huán)狀接地，這樣會(huì)在接地環(huán)上存在微小的渦流，影響電感的品質(zhì)因數(shù)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種用于射頻工藝中的電感地屏蔽結(jié)構(gòu)，可以減少襯底渦流損耗對(duì)電感的影響，提高普通射頻工藝中的電感品質(zhì)因數(shù)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的用于射頻工藝中的電感地屏蔽結(jié)構(gòu)，包括四根接地線，所述四根接地線呈十字狀分布且其靠近的內(nèi)部一端互不接觸，每條接地線在其所在平面內(nèi)引出多條阻擋線，所述阻擋線分別垂直于所在的接地線且互不相交。

進(jìn)一步地，位于兩條水平接地線上方的垂直接地線引出的阻擋線向右延伸，下方的垂直接地線引出的阻擋線向左延伸；位于兩條垂直接地線左方的水平接地線引出的阻擋線向上延伸，右方的水平接地線引出的阻擋線向下延伸。

或者，位于兩條水平接地線上方的垂直接地線引出的阻擋線向左延伸，下方的垂直接地線引出的阻擋線向右延伸；位于兩條垂直接地線左方的水平接地線引出的阻擋線向下延伸，右方的水平接地線引出的阻擋線向上延伸。

本發(fā)明的地屏蔽結(jié)構(gòu)通過(guò)從地屏蔽圖形的中心引出連接線接地，接地線的中心是斷開(kāi)的，減少了圖形之間的電流干擾，同時(shí)，每條接地線引出多條阻擋線，每條接地線引出的阻擋線互相垂直，阻礙了襯底渦流的通路，減少了襯底渦流損耗對(duì)電感的影響，達(dá)到提高普通射頻工藝中的電感品質(zhì)因數(shù)的目的。

附圖說(shuō)明

下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說(shuō)明：

圖1是已知的電感地屏蔽結(jié)構(gòu)的示意圖；

圖2是本發(fā)明中電感地屏蔽結(jié)構(gòu)的一種示意圖；

圖3是本發(fā)明中電感地屏蔽結(jié)構(gòu)的另一種示意圖。

其中附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：

1為接地線；2阻擋線。

具體實(shí)施方式

本發(fā)明的用于射頻工藝中的電感地屏蔽結(jié)構(gòu)，包括四根接地線1，所述四根接地線1呈十字狀分布且其靠近的內(nèi)部一端互不接觸，每條接地線1在其所在平面內(nèi)引出多條阻擋線2，所述阻擋線2分別垂直于所在的接地線1且互不相交。

如圖2所示，位于兩條水平接地線上方的垂直接地線引出的阻擋線2向右延伸，下方的垂直接地線引出的阻擋線2向左延伸；位于兩條垂直接地線左方的水平接地線引出的阻擋線2向上延伸，右方的水平接地線引出的阻擋線2向下延伸。

如圖3所示，位于兩條水平接地線上方的垂直接地線引出的阻擋線2向左延伸，下方的垂直接地線引出的阻擋線2向右延伸；位于兩條垂直接地線左方的水平接地線引出的阻擋線2向下延伸，右方的水平接地線引出的阻擋線2向上延伸。

這種地屏蔽結(jié)構(gòu)圖形可以用各種材料形成，如深溝槽隔離層、n型和p型摻雜層，poly層等。地屏蔽圖形的寬度和間距可以根據(jù)工藝層次的最小設(shè)計(jì)規(guī)則定義，并且適用于于各種形狀和結(jié)構(gòu)的電感。

本發(fā)明的地屏蔽結(jié)構(gòu)從地屏蔽圖形的中心引出連接線接地，不是從接地環(huán)引出接地線，這樣可以減少襯底渦流的影響，并且接地線的中心是斷開(kāi)的，減少了地屏蔽圖形之間的電流干擾，同時(shí)，每條接地線引出多條阻擋線，每條接地線引出的阻擋線互相垂直，阻礙了襯底渦流的通路，減少了襯底渦流損耗對(duì)電感的影響，達(dá)到提高普通射頻工藝中的電感品質(zhì)因數(shù)的目的。

以上通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，但這些并非構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可對(duì)地屏蔽圖形結(jié)構(gòu)等做出許多變形和等效置換，這些也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。