[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110009503.1
• 申請日: 2011-01-12
• 公開（公告）號: CN102543905A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃榮邦;黃暉閔;莊冠緯;林畯棠;姜亦震
• 申請（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝技術(shù)，尤指一種避免翹曲的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體封裝技術(shù)的演進(jìn)，半導(dǎo)體產(chǎn)品已開發(fā)出不同封裝產(chǎn)品型態(tài)，而為追求半導(dǎo)體封裝件的輕薄短小，因而發(fā)展出一種芯片尺寸封裝件(chip?scale?package，CSP)，此種芯片尺寸封裝件僅具有與芯片尺寸相當(dāng)或略大的尺寸。如此的封裝件即可達(dá)到輕薄短小，符合現(xiàn)代電子產(chǎn)品潮流的產(chǎn)品，可參考第7,202,107號美國專利，或請參閱圖1A至1D，為現(xiàn)有芯片尺寸封裝件的制造方法的剖面示意圖。

如圖1A所示，先提供一承載板10，且該承載板10上具有熱感性黏著層100，再設(shè)置芯片11于該承載板10上，該芯片11具有相對的作用面11a與非作用面11b，該作用面11a上具有電極墊110，且該芯片11以該作用面11a貼合于該承載板10的黏著層100上。

如圖1B所示，形成封裝膠體12于該承載板10的黏著層100上，以披覆該芯片11，該封裝膠體12具有結(jié)合該黏著層100的第一表面12a，以及外露的第二表面12b。

如圖1C所示，加熱使該芯片11及封裝膠體12完全與該熱感性黏著層100分離，以外露該芯片11的作用面11a與該封裝膠體12的第一表面12a。

如圖1D所示，形成線路13于該芯片11的作用面11a與該封裝膠體12的第一表面12a，再于后續(xù)工藝中沿預(yù)定切割線L進(jìn)行切單作業(yè)，以完成一無封裝基板的芯片尺寸封裝件。

但是，如圖1C所述的工藝中，該芯片11與該封裝膠體12完全與該黏著層100分離，使該芯片11與該封裝膠體12的整體結(jié)構(gòu)失去該承載板10所提供的剛性支撐，導(dǎo)致該芯片11與該封裝膠體12的整體結(jié)構(gòu)發(fā)生背面翹曲現(xiàn)象(如圖1C所示的虛線形狀)，情況嚴(yán)重者則會導(dǎo)致芯片11斷裂。

再者，若將背面翹曲的結(jié)構(gòu)進(jìn)行線路工藝，則會因增設(shè)該線路13而發(fā)生正面翹曲現(xiàn)象，且前述兩者翹曲程度并不會完全抵消，仍會有部分翹曲，導(dǎo)致后續(xù)工藝的可靠度降低，以致使生產(chǎn)良率下降。

因此，如何避免上述現(xiàn)有技術(shù)的種種問題，實(shí)為當(dāng)前所要解決的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容

為克服現(xiàn)有技術(shù)的種種缺失，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，以避免現(xiàn)有技術(shù)中芯片與封裝膠體的整體結(jié)構(gòu)發(fā)生背面翹曲現(xiàn)象，并同時可加強(qiáng)半導(dǎo)體封裝件之整體結(jié)構(gòu)的散熱效果。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝件，包括：芯片，具有相對的作用面與非作用面，且該作用面上具有電極墊；封裝膠體，披覆該芯片，該封裝膠體具有相對的第一表面及第二表面，且該封裝膠體的第一表面與該芯片的作用面齊平，而使該芯片的作用面外露于該封裝膠體的第一表面；以及第一及第二金屬層，設(shè)于該封裝膠體的第二表面上。

本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，包括：提供一承載板；設(shè)置芯片于該承載板上，該芯片具有相對的作用面與非作用面，該芯片的作用面上具有電極墊，且該作用面結(jié)合于該承載板上；形成封裝膠體于該承載板上，以披覆該芯片，該封裝膠體具有結(jié)合該承載板的第一表面，及相對于該第一表面的第二表面；移除該承載板，以外露該芯片的作用面與該封裝膠體的第一表面；以及形成第一及第二金屬層于該封裝膠體的第二表面上。

前述的制造方法中，該承載板可為晶圓。

前述的制造方法中，該芯片的作用面可通過黏著層貼合于該承載板上。

前述的制造方法還包括在形成該增層結(jié)構(gòu)之后，進(jìn)行切單工藝(singulation?process)。

前述的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法中，該芯片的非作用面可與該封裝膠體的第二表面齊平，而使該芯片的非作用面外露于該封裝膠體的第二表面，使該第一及第二金屬層還設(shè)于該芯片的非作用面上。

前述的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法中，該第一金屬層以化鍍或?yàn)R鍍方式的其中之一形成，第二金屬層以電鍍方式形成。

此外，前述的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法還包括：在該芯片的作用面與該封裝膠體的第一表面上的形成增層結(jié)構(gòu)，且該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè)于該介電層中且電性連接該線路層與該芯片的電極墊的導(dǎo)電盲孔。又包括在該增層結(jié)構(gòu)上形成絕緣保護(hù)層，其具有開孔，以外露出該增層結(jié)構(gòu)最外層的部分線路層。

由上可知，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，通過將第一及第二金屬層設(shè)于該封裝膠體的第二表面上，以提供該芯片與該封裝膠體的整體結(jié)構(gòu)所需的剛性支撐，相比于現(xiàn)有技術(shù)的無支撐結(jié)構(gòu)，本發(fā)明可避免該芯片與該封裝膠體的整體結(jié)構(gòu)發(fā)生背面翹曲現(xiàn)象。