[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝件及其制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110009503.1
• 申請(qǐng)日: 2011-01-12
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102543905A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-07-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 黃榮邦;黃暉閔;莊冠緯;林畯棠;姜亦震
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 矽品精密工業(yè)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/367;H01L21/50;H01L21/56
• 代理公司: 北京戈程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽(yáng)

1.一種半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，包括：

芯片，具有相對(duì)的作用面與非作用面，且該作用面上具有電極墊；

封裝膠體，披覆該芯片，該封裝膠體具有相對(duì)的第一表面及第二表面，且該封裝膠體的第一表面與該芯片的作用面齊平，而使該芯片的作用面外露于該封裝膠體的第一表面；以及

第一及第二金屬層，設(shè)于該封裝膠體的第二表面上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該芯片的非作用面與該封裝膠體的第二表面齊平，而使該芯片的非作用面外露于該封裝膠體的第二表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一及第二金屬層還設(shè)于該芯片的非作用面上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，還包括增層結(jié)構(gòu)，設(shè)于該芯片的作用面與該封裝膠體的第一表面上。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè)于該介電層中且電性連接該線路層與該芯片的電極墊的導(dǎo)電盲孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，還包括絕緣保護(hù)層，設(shè)于該增層結(jié)構(gòu)上，且具有開(kāi)孔，以外露出該增層結(jié)構(gòu)最外層的部分線路層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝件，其特征在于，該第一金屬層為化鍍金屬材或?yàn)R鍍金屬材，該第二金屬層為電鍍金屬材。

8.一種半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一承載板；

設(shè)置芯片于該承載板上，該芯片具有相對(duì)的作用面與非作用面，該芯片的作用面上具有電極墊，且該作用面結(jié)合于該承載板上；

形成封裝膠體于該承載板上，以披覆該芯片，該封裝膠體具有結(jié)合該承載板的第一表面、及相對(duì)于該第一表面的第二表面；

移除該承載板，以外露該芯片的作用面與該封裝膠體的第一表面；以及

形成第一及第二金屬層于該封裝膠體的第二表面上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，該承載板為晶圓。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，該芯片的作用面通過(guò)黏著層貼合于該承載板上。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括在形成該第一及第二金屬層之前，進(jìn)行磨平工藝，使該芯片的非作用面與該封裝膠體的第二表面齊平。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，該第一及第二金屬層還形成于該芯片的非作用面上。

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括形成該第一及第二金屬層之后，形成增層結(jié)構(gòu)于該芯片的作用面與該封裝膠體的第一表面上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，該增層結(jié)構(gòu)具有至少一介電層、設(shè)于該介電層上的線路層、及設(shè)于該介電層中且電性連接該線路層與該芯片的電極墊的導(dǎo)電盲孔。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括形成絕緣保護(hù)層于該增層結(jié)構(gòu)上，且該絕緣保護(hù)層具有開(kāi)孔，以外露出該增層結(jié)構(gòu)最外層的部分線路層。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，還包括在形成該增層結(jié)構(gòu)之后，進(jìn)行切單工藝。

17.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，其特征在于，該第一金屬層以化鍍或?yàn)R鍍方式的其中之一形成，第二金屬層以電鍍方式形成。