[發明專利]硅基板、太陽能電池基板的制造方法及太陽能電池

有效

• 申請號: 201110385716.4
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN103137721A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 陳文華
• 申請（專利權）人: 茂迪股份有限公司
• 主分類號: H01L31/0352
• 分類號: H01L31/0352;H01L31/18
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種硅基板，包含：一個第一區域以及一個第二區域，該第一區域的表面具有多個第一突出結構，該第二區域的表面具有多個第二突出結構，其特征在于，所述第一突出結構的平均厚度大于所述第二突出結構的平均厚度，各該第一突出結構的表面具有多個凸塊。

2.根據權利要求1所述的硅基板，其特征在于，各該第一突出結構與各該凸塊為單晶結構，各該第二突出結構為多晶結構。

3.根據權利要求1或2所述的硅基板，其特征在于，各該第一突出結構的厚度為1至20μm，各該凸塊的厚度為200至600nm，各該第二突出結構的厚度為300至700nm。

4.根據權利要求3所述的硅基板，其特征在于，各該第一突出結構的型態包含金字塔結構的型態，各該第二突出結構的型態包含突出弧形結構的型態。

5.一種太陽能電池基板的制造方法，包含：提供一個半成品基板，該半成品基板具有一個第一區域以及一個第二區域，該第一區域的表面具有多個第一突出結構；其特征在于，該太陽能電池基板的制造方法還包含以下步驟：蝕刻該半成品基板，在各該第一突出結構的表面形成多個凸塊，并在該第二區域的表面形成多個第二突出結構，所述第一突出結構的平均厚度大于所述第二突出結構的平均厚度。

6.根據權利要求5所述的太陽能電池基板的制造方法，其特征在于，各該第一突出結構與各該凸塊為單晶結構，各該第二突出結構為多晶結構。

7.根據權利要求5所述的太陽能電池基板的制造方法，其特征在于，在蝕刻該半成品基板前，先分別在該第一區域與該第二區域表面形成一第一表層與一第二表層，且該第一表層的厚度大于該第二表層的厚度。

8.根據權利要求7所述的太陽能電池基板的制造方法，其特征在于，該第一表層與該第二表層為氧化層，并且是通過將該半成品基板進行熱氧化處理而形成。

9.根據權利要求5至8中任一項所述的太陽能電池基板的制造方法，其特征在于，蝕刻該半成品基板是利用反應式離子蝕刻方式來進行。

10.一種太陽能電池，包含：一個硅基板以及一個位于該硅基板的表面并用于傳輸該太陽能電池的電能的電極單元；該硅基板包括一個第一區域與一個第二區域，該第一區域的表面具有多個第一突出結構，該第二區域的表面具有多個第二突出結構，其特征在于，所述第一突出結構的平均厚度大于所述第二突出結構的平均厚度，各該第一突出結構表面具有多個凸塊。

11.根據權利要求10所述的太陽能電池，其特征在于，各該第一突出結構與各該凸塊為單晶結構，各該第二突出結構為多晶結構。

12.根據權利要求10或11所述的太陽能電池，其特征在于，各該第一突出結構的厚度為1至20μm，各該凸塊的厚度為200至600nm，各該第二突出結構的厚度為300至700nm。

13.根據權利要求12所述的太陽能電池，其特征在于，各該第一突出結構的型態包含金字塔結構的型態，各該第二突出結構的型態包含突出弧形結構的型態。