[發明專利]吉爾伯特型混頻器

無效

• 申請號: 201110385057.4
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102480269A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 陳穎;馬塞爾·戈伊茨
• 申請（專利權）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H03D7/12
• 分類號: H03D7/12
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 王波波

1.一種吉爾伯特型混頻器(200)，包括：

四個開關晶體管(Q3，Q4，Q5，Q6)；

兩個中頻晶體管(Q1，Q2)；和

一個或多個直流去耦元件(202)，耦接在開關晶體管(Q3，Q4，Q5，Q6)和中頻晶體管(Q1，Q2)之間以將開關晶體管(Q3，Q4，Q5，Q6)與中頻晶體管(Q1，Q2)直流去耦。

2.根據權利要求1所述的吉爾伯特型混頻器(200)，還包括電阻元件(210)，所述電阻元件(210)連接至每個開關晶體管(Q3，Q4，Q5，Q6)的發射極以偏置開關晶體管。

3.根據權利要求2所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中所述電阻元件具有大的電阻值，并且在使用中小電流流過開關晶體管。

4.根據權利要求3所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中所述電阻元件的電阻值為1、2、5、10、20kΩ的量級。

5.根據前述權利要求中任一項所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中所述一個或多個直流去耦元件連接在開關晶體管(Q3，Q4，Q5，Q6)的發射極和中頻晶體管(Q1，Q2)的集電極之間。

6.根據前述權利要求中任一項所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中所述一個或多個直流去耦元件(202)包括一個或多個電容器(C_d1)。

7.根據權利要求1-5中任一項所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中所述一個或多個直流去耦元件(202)包括濾波器、變壓器和放大器中的一個或多個。

8.根據權利要求6所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中：

第一開關晶體管(Q3)的發射極耦接至第一去耦電容器(C_d1)的第一極板，且第一去耦電容器(C_d1)的第二極板耦接至第一中頻晶體管(Q1)的集電極；

第二開關晶體管(Q4)的發射極耦接至第二去耦電容器(C_d1)的第一極板，且第二去耦電容器(C_d1)的第二極板耦接至第一中頻晶體管(Q1)的集電極；

第三開關晶體管(Q5)的發射極耦接至第三去耦電容器(C_d1)的第一極板，且第三去耦電容器(C_d1)的第二極板耦接至第二中頻晶體管(Q2)的集電極；

第四開關晶體管(Q6)的發射極耦接至第四去耦電容器(C_d1)的第一極板，且第四去耦電容器(C_d1)的第二極板耦接至第二中頻晶體管(Q2)的集電極。

9.根據權利要求6所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中：

第一開關晶體管(Q3)的集電極耦接至第一去耦電容器的第一極板，且第一去耦電容器的第二極板耦接至第一中頻晶體管(Q1)的集電極或發射極；

第二開關晶體管(Q4)的集電極耦接至第二去耦電容器的第一極板，且第二去耦電容器的第二極板耦接至第一中頻晶體管(Q1)的集電極或發射極；

第三開關晶體管(Q5)的集電極耦接至第三去耦電容器的第一極板，且第三去耦電容器的第二極板耦接至第二中頻晶體管(Q2)的集電極或發射極；

第四開關晶體管(Q6)的集電極耦接至第四去耦電容器的第一極板，且第四去耦電容器的第二極板耦接至第二中頻晶體管(Q2)的集電極或發射極。

10.根據權利要求6所述的吉爾伯特型混頻器(200)，其中：

第一開關晶體管(Q3)的發射極耦接至第一去耦電容器的第一極板，且第一去耦電容器的第二極板耦接至第一中頻晶體管(Q1)的集電極或發射極；

第二開關晶體管(Q4)的發射極耦接至第二去耦電容器的第一極板，且第二去耦電容器的第二極板耦接至第一中頻晶體管(Q1)的集電極或發射極；

第三開關晶體管(Q5)的發射極耦接至第三去耦電容器的第一極板，且第三去耦電容器的第二極板耦接至第二中頻晶體管(Q2)的集電極或發射極；

第四開關晶體管(Q6)的發射極耦接至第四去耦電容器的第一極板，且第四去耦電容器的第二極板耦接至第二中頻晶體管(Q2)的集電極或發射極。