[發明專利]電致發光器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201110385045.1
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN103137877A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 周明杰;王平;黃輝;張振華
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種電致發光器件，其特征在于，包括依次層疊的基底、金屬陰極、電子傳輸層、空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極，其中，所述電子傳輸層的材料為摻雜高價態金屬氧化物的低價態金屬化合物，所述高價態氧化物為三氧化鉬、五氧化二釩或三氧化鎢，所述低價態金屬化合物為二氧化鈦、硫化鎘或硒化鎘。

2.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于：所述高價態金屬氧化物在所述電子傳輸層中的摻雜質量百分比為2％～15％，所述電子傳輸層的厚度為10nm～100nm。

3.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于：所述空穴阻擋層的材料為2-(4-聯苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。

4.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于：所述發光層的材料為8-羥基喹啉鋁、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥的至少一種。

5.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于：所述空穴傳輸層與電子阻擋層的材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環己烷、N，N’-二(3-甲基苯基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N’-(1-萘基)-N，N’-二苯基-4，4’-聯苯二胺。

6.根據權利要求5所述的電致發光器件，其特征在于：所述發光層的材料由8-羥基喹啉鋁、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥、三(2-苯基吡啶)合銥的至少一種摻雜到所述空穴傳輸層的材料中形成，其中，摻雜質量百分比為1％～20％。

7.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于：所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。

8.根據權利要求1所述的電致發光器件，其特征在于：所述金屬陰極和所述金屬陽極的材料為鋁、銀、金或鉑。

9.一種電致發光器件的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一、對基底進行前處理；

步驟二、在所述基底上蒸鍍金屬陰極；

步驟三、在所述金屬陰極上采用磁控濺鍍或電子束蒸鍍電子傳輸層，所述電子傳輸層的材料為摻雜高價態金屬氧化物的低價態金屬化合物，所述高價態氧化物為三氧化鉬、五氧化二釩或三氧化鎢，所述低價態金屬化合物為二氧化鈦、硫化鎘或硒化鎘；及

步驟四、在所述電子傳輸層上依次層疊蒸鍍空穴阻擋層、發光層、電子阻擋層、空穴傳輸層和空穴注入層，接著蒸鍍陽極，得到所述電致發光器件。

10.根據權利要求9所述的電致發光器件的制備方法，其特征在于：步驟一中對基底進行前處理的步驟包括：先將基底進行光刻處理，再進行剪裁，然后依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇以及異丙醇各超聲清洗15min。