[發(fā)明專利]一種高聚物太陽能電池及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110385042.8
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN103137874A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;王平;黃輝;馮小明
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/46
• 分類號: H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

1.一種高聚物太陽能電池，包括依次層疊的陽極基底、空穴緩沖層、活性層、電子緩沖層及陰極，其特征在于，所述活性層包括活性材料及摻雜于所述活性材料中的納米二氧化鈦顆粒，其中，所述納米二氧化鈦顆粒在所述活性層中的摻雜質(zhì)量百分含量為1％～20％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高聚物太陽能電池，其特征在于，所述活性材料為共軛聚合物給體與C₆₀衍生物或C₇₀衍生物的混合物，所述共軛聚合物給體為聚3-己基噻吩、聚對苯亞乙烯衍生物及聚2-甲氧基-5-(2-乙基-己氧基)-1，4-苯乙烯中的一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高聚物太陽能電池，其特征在于，所述活性層的厚度為80納米～300納米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高聚物太陽能電池，其特征在于，所述陽極基底為銦錫氧化物玻璃、摻氟的氧化錫玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃及摻銦的氧化鋅玻璃中的一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高聚物太陽能電池，其特征在于，所述空穴緩沖層的材料為摻雜3，4-乙烯基二氧噻吩的聚苯乙烯磺酸，所述3，4-乙烯基二氧噻吩與所述聚苯乙烯磺酸的重量比為2∶1～6∶1，且所述空穴緩沖層的厚度為20～80納米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高聚物太陽能電池，其特征在于，所述電子緩沖層的材料為氟化鋰、氟化銫及碳酸銫中的一種，所述電子緩沖層的厚度為0.5納米～10納米。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高聚物太陽能電池，其特征在于，所述陰極的材料為鋁、銀、金及鉑中的一種，且所述陰極的厚度為80納米～200納米。

8.一種高聚物太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟一：將陽極基底進(jìn)行清洗處理；

步驟二：在清洗處理后的陽極基底上旋涂空穴緩沖層；

步驟三：按摻雜質(zhì)量百分含量為1％～20％將納米二氧化鈦顆粒添加到含有活性材料的溶液中制備成活性溶液，將所述活性溶液旋涂于所述空穴緩沖層上，烘干后得到活性層；及

步驟四：在所述活性層上依次蒸鍍電子緩沖層及陰極，得到所述高聚物太陽能電池。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高聚物太陽能電池的制備方法，其特征在于，在步驟三中，所述納米二氧化鈦顆粒的制備方法如下：按照二氧化鈦顆粒∶活性劑∶乳化劑的質(zhì)量百分比為10％～45％∶0.5％～5％∶1％～7％的比例溶解于溶劑中制備二氧化鈦膠體，將所述二氧化鈦膠體刮涂于載體上，然后置于400℃～550℃下煅燒20分鐘～60分鐘，得到多孔納米二氧化鈦薄膜，然后將所述多孔納米二氧化鈦薄膜研磨，得到所述納米二氧化鈦顆粒。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的高聚物太陽能電池的制備方法，其特征在于，在步驟三中，所述活性層的制備方法如下：將共軛聚合物給體與C₆₀衍生物或C₇₀衍生物的混合物加入到有機(jī)溶劑中配制成總濃度為8mg/ml～30mg/ml的溶液，將納米二氧化鈦顆粒添加到所述溶液中得到活性溶液，然后在充滿惰性氣體的氣氛中將所述活性溶液旋涂至所述空穴緩沖層上，最后在50℃～200℃下退火5分鐘～100分鐘或在室溫下放置24小時～48小時干燥，得到所述活性層。