[發(fā)明專利]射頻放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110384941.6
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102480272A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 伊戈爾·布萊德諾夫
• 申請（專利權(quán)）人: NXP股份有限公司
• 主分類號: H03F3/189
• 分類號: H03F3/189;H03F1/07
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 倪斌

1.一種具有工作頻率的集成射頻放大器(1200)，所述集成射頻放大器包括第一和第二多赫蒂放大器(1201a，1201b)，每個多赫蒂放大器包括主器件和峰值器件，主器件和峰值器件通過相應(yīng)的相移元件在各自的輸入和輸出處連接，所述相移元件配置為在工作頻率下提供90度的相移，

其中所述集成射頻放大器(1200)的輸入(1202)連接到所述第一多赫蒂放大器(1201a)的主器件的輸入，所述集成射頻放大器的輸出(1205)連接到所述第一和第二多赫蒂放大器(1201a，1201b)的峰值器件的輸出，以及所述第一多赫蒂放大器(1201a)的峰值器件輸入通過相移元件(1204)連接到所述第二多赫蒂放大器(1201b)的主器件輸入，該相移元件(1204)配置為在工作頻率下提供90度的相移。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成射頻放大器，包括：一個或多個另外的多赫蒂放大器電路，每個另外的多赫蒂放大器電路具有峰值器件輸出和主器件輸入，所述峰值器件輸出連接到集成射頻放大器輸出，所述主器件輸入通過相移元件連接到在前多赫蒂放大器的峰值器件輸入，該相移元件配置為在工作頻率下提供90度的相移。

3.根據(jù)權(quán)利要求3所述的集成多赫蒂放大器，其中多赫蒂放大器的數(shù)量是4或者更少。

4.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的集成多赫蒂放大器，其中連接每個多赫蒂放大器的主器件輸出與峰值器件輸出的相移元件包括一對電感，電感連接在連接該對電感的節(jié)點和所述集成射頻放大器的地連接之間。

5.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的集成多赫蒂放大器，其中連接每個多赫蒂放大器的主器件輸入和峰值器件輸入的相移元件包括低通濾波器，該低通濾波器包括電感以及所述主器件和峰值器件的柵電阻和電容。

6.根據(jù)前述權(quán)利要求任一項所述的集成多赫蒂放大器(1200)，其中連接所述第一多赫蒂放大器的峰值器件輸入與所述第二多赫蒂放大器的主器件輸入的相移元件(1204)包括高通濾波器，該高通濾波器包括一對電感(L)，電感分別連接在所述集成射頻放大器的地連接和一電容(C)的相對兩端之間。

7.一種射頻放大器電路，包括根據(jù)前述權(quán)利要求任一項的集成射頻放大器(1200)和電源網(wǎng)絡(luò)，其中，每個多赫蒂放大器的主器件和峰值器件的輸出端子通過電源線電路(306)連接到所述電源網(wǎng)絡(luò)，該電源線電路(306)包括形成電感的一對相互耦合的導(dǎo)體，以及在連接該對導(dǎo)體的節(jié)點和地連接之間連接的電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求7的集成射頻放大器電路，其中，所述電源線電路(306)包括四分之一波長傳輸線的等效集總元件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8的集成射頻放大器電路，其中，所述電源線電路(306)包括：

第一并行磁耦合導(dǎo)體對；

與所述第一并行導(dǎo)體對串聯(lián)的第二并行磁耦合導(dǎo)體對；和

在每個并行導(dǎo)體對的節(jié)點之間的電容。

10.根據(jù)權(quán)利要求9的集成射頻放大器電路，其中，所述電源線電路包括并行布置并經(jīng)由鍵合焊盤(504)串聯(lián)電連接的磁耦合導(dǎo)體對(501，502)，所述鍵合焊盤提供接地的容性連接(506)。

11.根據(jù)權(quán)利要求7至10中任一項所述的集成射頻放大器電路，其中所述電源線電路(705)連接到所述主放大器(701)或所述峰值放大器(702)的漏極連接(710)。