[發(fā)明專利]一種電致發(fā)光器件及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110384885.6
• 申請(qǐng)日: 2011-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN103137887A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;王平;黃輝;張振華
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01B1/02
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光二極管領(lǐng)域，特別是涉及一種電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】

有機(jī)電致發(fā)光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode)，以下簡(jiǎn)稱OLED，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。其發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。

在一般的電致發(fā)光器件中，為了使陰極與有機(jī)材料的LUMO能級(jí)匹配，一般要求陰極的功函數(shù)盡量的低，有機(jī)材料的LUMO能級(jí)為3.0eV，而金屬的功函數(shù)一般是5.0eV左右，若功函數(shù)太低，則證明金屬容易失去電子，非?；顫姡€(wěn)定性較差，因此，在有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域，一般采用Ag或Al等功函數(shù)適中的金屬作為電極，一方面，這些材料的功函值較低，為4.5eV左右，性質(zhì)較穩(wěn)定，但是，其與有機(jī)材料之間仍然有1.5eV的勢(shì)壘，這個(gè)勢(shì)壘對(duì)電子的傳輸仍然起到很大的阻礙作用，從而影響了電致發(fā)光器件的發(fā)光效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

基于此，有必要提供一種發(fā)光效率較高的電致發(fā)光器件。

一種電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子緩沖層和陰極，所述陰極的材料為摻雜銫鹽的金屬，其中，所述銫鹽在所述陰極中的摻雜質(zhì)量百分比為1％～10％，所述銫鹽為碳酸銫、疊氮銫或氟化銫，所述金屬為銀、鋁、鉑或金。

優(yōu)選的，所述陰極的厚度為80～250納米。

優(yōu)選的，所述導(dǎo)電陽極基底為銦錫氧化物玻璃、摻氟氧化錫玻璃、摻鋁的氧化鋅玻璃或摻銦的氧化鋅玻璃。

優(yōu)選的，所述空穴注入層的厚度為20～80納米，所述空穴注入層的材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩。

優(yōu)選的，所述空穴傳輸層的厚度為20～60納米，所述空穴傳輸層的材料為1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-聯(lián)苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-聯(lián)苯二胺。

優(yōu)選的，所述發(fā)光層的厚度為2～50納米，所述發(fā)光層的材料選自(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羥基喹啉鋁、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥和三(2-苯基吡啶)合銥中的至少一種；或

所述發(fā)光層的材料選自(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羥基喹啉鋁、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥和三(2-苯基吡啶)合銥中的一種與1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-4，4′-聯(lián)苯二胺、4，4′，4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N′-(1-萘基)-N，N′-二苯基-4，4′-聯(lián)苯二胺、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物和N-芳基苯并咪唑中的一種或二種摻雜形成的混合物，其中所述(二腈甲基)-2-丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、8-羥基喹啉鋁、雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C²)吡啶甲酰合銥、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥或三(2-苯基吡啶)合銥的摻雜質(zhì)量百分比為1％～20％。

優(yōu)選的，所述電子傳輸層的厚度為40～80納米，且所述電子傳輸層的材料為2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑、8-羥基喹啉鋁、4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑。