[發(fā)明專利]半導(dǎo)體芯片、包括其的堆疊芯片半導(dǎo)體封裝及其制造方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110384864.4 | 申請日: | 2011-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN102569269A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 姜泰敏 | 申請(專利權(quán))人: | 海力士半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 邱軍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 芯片 包括 堆疊 封裝 及其 制造 方法 | ||
1.一種具有通路孔的半導(dǎo)體芯片,包括:
金屬線,至少一部分位于該通路孔中;以及
填料,填充其中具有該金屬線的該通路孔,其中該金屬線的第一端部暴露在該填料之外。
2.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片,還包括:
電路板,具有形成有金屬焊墊的部分,其中該電路板配置在該半導(dǎo)體芯片的一個表面上,以將該金屬焊墊電連接至該金屬線除該第一端部的部分。
3.如權(quán)利要求2的半導(dǎo)體芯片,其中該電路板包括具有彎曲和粘接特性的聚合物層,并且其中在該電路板中形成堆疊通路,以暴露該金屬焊墊未與該金屬線接觸的部分。
4.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片,其中該金屬線包括銅且具有類似T形的剖面形狀。
5.如權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片,其中該填料是包括環(huán)氧樹脂的底部填充材料或者包括聚合物的材料。
6.一種半導(dǎo)體封裝,包括:
第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片,每一個芯片都具有在該芯片的第一表面和第二表面之間的通路孔,每一個芯片包括:
金屬線,至少一部分位于該通路孔中;以及
填料,填充其中具有該金屬線的該通路孔,其中該金屬線的第一端部由該第一表面暴露并且第二端部由該第二表面暴露;
其中該第一芯片的該金屬線的該第一端部電連接至該第二芯片的該金屬線的該第二端部。
7.如權(quán)利要求6的半導(dǎo)體封裝,其中每一個芯片的該第一端部從每一個芯片的該第一表面突出,并且其中該第一芯片的該金屬線的突出的該第一端部通過焊球電連接至該第二芯片的該金屬線的該第二端部。
8.如權(quán)利要求7的半導(dǎo)體封裝,其中每一個半導(dǎo)體芯片還包括:
電路板,具有形成有金屬焊墊的部分,其中該電路板的一個表面配置在該芯片的該第二表面上,以將該金屬焊墊電連接至該金屬線的該第二端部;以及?
堆疊通路,形成在該電路板的另一表面上,以暴露該金屬焊墊的一部分。
9.如權(quán)利要求7的半導(dǎo)體封裝,其中該金屬線包括銅且具有類似T形的剖面形狀。
10.如權(quán)利要求7的半導(dǎo)體封裝,其中該填料是包括環(huán)氧樹脂的底部填充材料或者包括聚合物的材料。
11.一種制造具有通路孔的半導(dǎo)體芯片的方法,包括:
準備電路板,該電路板包括形成于其中的金屬焊墊;
貼附金屬線的第二端部至該電路板的該金屬焊墊;
將該金屬線設(shè)置在該通路孔中;以及
利用填料填充該通路孔,以使該金屬線的第一端部暴露在該填料之外。
12.制造具有通路孔的半導(dǎo)體芯片的所述方法,其中該第一端部突出于該半導(dǎo)體芯片的表面之外。
13.如權(quán)利要求12的方法,其中該電路板包括具有彎曲和粘接特性的聚合物層。
14.如權(quán)利要求12的方法,其中該金屬線包括銅且具有類似T形的剖面形狀。
15.如權(quán)利要求12的方法,其中該填料是包括環(huán)氧樹脂的底部填充材料或者包括聚合物的材料。
16.如權(quán)利要求12的方法,還包括:
利用該填料填充該通路孔之后,從該芯片移除該電路板,以使該金屬線通過該填料保持在該通路孔中。
17.如權(quán)利要求12的方法,還包括:
利用該填料填充該通路孔之后,刻蝕該電路板的一部分以形成堆疊通路,該堆疊通路暴露貫穿的該金屬焊墊的一部分。
18.如權(quán)利要求17的方法,其中該堆疊通路通過使用激光的刻蝕方法形成。
19.一種制造半導(dǎo)體封裝的方法,包括:
制造第一半導(dǎo)體芯片和第二半導(dǎo)體芯片,其中具有通路孔的每一個芯片的制造方法包括:
準備電路板,該電路板包括形成于其中的金屬焊墊;
貼附金屬線的第二端部至該電路板的該金屬焊墊;?
將該金屬線設(shè)置在該通路孔中;以及
利用填料填充該通路孔,以使該金屬線的第一端部暴露于該填料之外,因而該第一端部從該半導(dǎo)體芯片的表面突出;以及
通過焊球?qū)⒃摰谝话雽?dǎo)體芯片的該金屬線的該第一端部連接至該第二半導(dǎo)體芯片的該金屬線的該第二端部。
20.如權(quán)利要求19的方法,其中每一個半導(dǎo)體芯片還包括:
電路板,具有形成有金屬焊墊的部分,該電路板的一個表面配置在該芯片的該第二表面上,以將該金屬焊墊電連接至該金屬線的該第二端部;以及
堆疊通路,其形成在該電路板的另一表面上,以暴露該金屬焊墊的一部分;
其中該第一半導(dǎo)體芯片的該金屬線的該第一端部連接至該第二半導(dǎo)體芯片的該金屬焊墊通過該堆疊通路暴露的部分。?
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





