[發明專利]結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法無效
| 申請號： | 201110383504.2 | 申請日： | 2011-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102412151A | 公開（公告）日： | 2012-04-11 |
| 發明（設計）人： | 王海軍 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 孫大為 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結合 超級 雙面 溝槽 igbt 器件 制造 方法 | ||
1.一種結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在N型襯底上，硅片正面曝光圖形，進行P柱的刻蝕，進行刻蝕形成槽；
對孔或槽成長高摻雜B的外延；
進行外延的研磨，研磨至單晶硅的表面；
進行溝槽柵的曝光定義；
成長摻雜N型多晶；
對多晶柵進行刻蝕；
正面進行源和P阱的注入和推阱；
背面進行深溝槽的刻蝕，溝槽的寬度小于溝槽內磷離子擴散的長度；
然后進行N型多晶硅的填充，進行高溫長時間推阱，使得多晶之間N型載流子連接在一起；
然后對背面進行注入硼離子，并進行激活；
進行集電極的蒸金。
2.如權利要求1所述的結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，硅片正面曝光0.5微米以上微米的圖形，進行P柱的刻蝕。
3.如權利要求1所述的結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，進行刻蝕形成5微米以上深的槽。
4.如權利要求1所述的結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，對孔或槽成長高摻雜硼的外延，體濃度在1E15以上。
5.如權利要求1所述的結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，成長摻雜N型多晶，厚度大于500埃。
6.如權利要求1所述的結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，背面進行深溝槽的刻蝕，刻蝕的深度在1微米以上。
7.如權利要求1所述的結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，進行集電極的蒸金，金屬的厚度在1微米以上。
8.如權利要求1所述的結合超級結雙面溝槽型IGBT器件制造方法，其特征在于，所述N型襯底摻磷的體濃度在1E13-1E14之間。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
