[發明專利]化學機械研磨裝置及研磨過程中處理晶片的方法

有效

• 申請號: 201110383477.9
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN103128648A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 王慶玲
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B24B37/04
• 分類號: B24B37/04;B24B37/34
• 代理公司: 北京德琦知識產權代理有限公司 11018
• 代理人: 牛崢;王麗琴

1.一種化學機械研磨裝置，其特征在于，該裝置包括研磨臺、研磨墊、研磨頭和存儲槽；

研磨臺，用于在其上表面承載研磨墊；

研磨墊，用于研磨晶片；

研磨頭，用于在其上架設晶片，在研磨時控制晶片與研磨墊對向配置進行晶片的研磨；或者在清洗晶片時從與研磨墊的對向配置處水平旋轉預定角度至存儲槽上方；

存儲槽，位于研磨臺一側，用于存儲去離子水或者化學液體，在轉換研磨臺或者研磨出現故障時，上升預定距離，將研磨頭上架設的晶片浸沒其中進行清洗預定時間之后恢復至原來位置。

2.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述存儲槽側壁上有進液口，底部上有出液口。

3.如權利要求2所述的裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括氣體輸送管路，該氣體輸送管路的出口位于存儲槽的上方，用于將清洗之后的晶片進行稀有氣體噴射以干燥晶片表面。

4.如權利要求3所述的裝置，其特征在于，所述稀有氣體為氮氣或者氬氣。

5.如權利要求1所述的裝置，其特征在于，所述化學液體為苯并三唑BTA。

6.一種研磨過程中處理晶片的方法，其特征在于，該方法應用于金屬研磨、層間介質層研磨、淺溝槽隔離研磨或者相變材料研磨工序中，在轉換研磨臺或者研磨出現故障時進行，該方法包括：

架設有晶片的研磨頭從與研磨墊的對向配置處水平旋轉預定角度至存儲槽上方；

上升存儲有去離子水或者化學液體的存儲槽，將晶片浸沒其中清洗預定時間之后恢復存儲槽至原來位置。

7.如權利要求6所述的方法，其特征在于，在恢復存儲槽至原來位置之后，該方法進一步包括：采用稀有氣體干燥晶片表面。

8.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述清洗的預定時間為2～200秒。

9.如權利要求8所述的方法，其特征在于，所述清洗的預定時間為10～20秒。

10.如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述晶片進行清洗時，研磨頭旋轉速度為10～110轉每分鐘RPM。

11.如權利要求7所述的方法，其特征在于，所述稀有氣體的流量為5～50升每分鐘L/min。