[發明專利]介電抗反射涂層的形成方法及光刻方法

有效

• 申請號: 201110383472.6
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN103137435A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發明（設計）人: 鄧浩;張彬
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/027
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底表面形成含氮介電抗反射涂層；

在所述含氮介電抗反射涂層表面形成無氮介電抗反射涂層。

2.如權利要求1所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述含氮介電抗反射涂層包括：硅元素和氧元素。

3.如權利要求1所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述無氮介電抗反射涂層包括：硅元素、氧元素和碳元素。

4.如權利要求1所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述形成含氮介電抗反射涂層采用的反應氣體為硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量為150～350sccm，一氧化二氮的流量為600～1200sccm。

5.如權利要求1所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述形成無氮介電抗反射涂層采用的反應氣體為硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量為300～450sccm，二氧化碳的流量為7000～17000sccm。

6.如權利要求1所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述含氮介電抗反射涂層厚度為100～150埃。

7.如權利要求1所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述無氮介電抗反射涂層厚度為100～150埃。

8.如權利要求1所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述無氮介電抗反射涂層表面還形成有保護層。

9.如權利要求8所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述保護層材料為二氧化硅，厚度為40～60埃。

10.一種光刻方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底表面形成含氮介電抗反射涂層；

在所述含氮介電抗反射涂層表面形成無氮介電抗反射涂層；

形成覆蓋所述無氮介電抗反射涂層的光刻膠層；

圖形化所述光刻膠層。

11.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述含氮介電抗反射涂層包括：硅元素和氧元素。

12.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述無氮介電抗反射涂層包括：硅元素、氧元素和碳元素。

13.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成含氮介電抗反射涂層采用的反應氣體為硅烷和一氧化二氮，所述硅烷的流量為150～350sccm，一氧化二氮的流量為600～1200sccm。

14.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成無氮介電抗反射涂層采用的反應氣體為硅烷和二氧化碳，所述硅烷的流量為300～450sccm，二氧化碳的流量為7000～17000sccm。

15.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述含氮介電抗反射涂層厚度為100～150埃。

16.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述無氮介電抗反射涂層厚度為100～150埃。

17.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成光刻膠層步驟之前，還包括步驟：在所述無氮介電抗反射涂層表面還形成有保護層。

18.如權利要求17所述的介電抗反射涂層的形成方法，其特征在于，所述保護層材料為二氧化硅，厚度為40～60埃。

19.如權利要求10所述的光刻方法，其特征在于，所述形成含氮介電抗反射涂層步驟之前，還包括步驟：在所述半導體襯底表面形成待刻蝕材料層。