[發(fā)明專利]基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110383181.7
• 申請日: 2011-11-28
• 公開（公告）號: CN102507659A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 于軍勝;曾紅娟;于欣格;張霖;蔣亞東
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學
• 主分類號: G01N27/00
• 分類號: G01N27/00
• 代理公司: 成都華典專利事務(wù)所(普通合伙) 51223
• 代理人: 楊保剛;徐豐

1.?基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器，包括襯底、位于襯底上的柵電極、位于柵電極上的柵極絕緣層、位于柵極絕緣層上的源電極和漏電極，源電極和漏電極通過甲醛氣體有機半導體探測層相連接，其特征在于：所述甲醛氣體有機半導體探測層由苯并類及苯并類衍生物有機材料制成。

2.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器，其特征在于：所述甲醛氣體有機半導體探測層由并三苯、并四苯、并五苯、6,13-二三異丙酯硅基乙炔并五苯、3,4-苯并芘、六苯并苯、6,13-五并苯醌中的至少一種構(gòu)成。

3.?根據(jù)權(quán)利要求1～2任一項所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器，其特征在于：所述甲醛氣體有機半導體探測層的厚度為5-500?nm。

4.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器，其特征在于：所述襯底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金屬箔制成。

5.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器，其特征在于：所述柵電極、源電極和漏電極由金屬及其合金材料、金屬氧化物或?qū)щ姀秃喜牧现瞥桑措姌O和漏電極的厚度為10-300?nm。

6.?根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器，其特征在于：所述柵極絕緣層的厚度為20-2000?nm。

7.?基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器的制備方法，其特征在于：它包括以下步驟：

①先對襯底進行徹底的清洗，清洗后干燥；

②在襯底表面制備柵電極；

③在柵電極上面制備柵極絕緣層并對絕緣層進行處理；

④在所述柵極絕緣層上制備源電極和漏電極；

⑤在源電極和漏電極之間制備甲醛氣體有機半導體探測層。

8.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器的制備方法，其特征在于：所述柵電極、源電極、漏電極是通過真空熱蒸鍍、磁控濺射、等離子體增強的化學氣相沉積、絲網(wǎng)印刷、打印或旋涂中的一種方法制備。

9.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器的制備方法，其特征在于：所述柵極絕緣層是通過等離子體增強的化學氣相沉積、熱氧化、旋涂或者真空蒸鍍中的一種方法制備。

10.?根據(jù)權(quán)利要求7所述的基于有機薄膜晶體管的甲醛氣體傳感器的制備方法，其特征在于：所述甲醛氣體有機半導體探測層是通過等離子體增強的化學氣相沉積、熱氧化、旋涂、真空蒸鍍、旋涂、滴膜、壓印、印刷或氣噴中的一種方法制備。