[發明專利]結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法有效
| 申請號： | 201110383157.3 | 申請日： | 2011-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102420134A | 公開（公告）日： | 2012-04-18 |
| 發明（設計）人： | 王海軍 | 申請（專利權）人： | 上海華虹NEC電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/331 | 分類號： | H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 孫大為 |
| 地址： | 201206 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結合 超級 結穿通型 溝槽 igbt 器件 制造 方法 | ||
1.一種結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，包括以下步驟：
在P型重摻雜的襯底上成長濃度由濃到淡的第一層N型外延；
然后再成長第二次N型外延；
硅片正面曝光圖形，進行P柱的刻蝕；
進行刻蝕形成槽；
對孔或槽成長高摻雜硼的外延；
進行外延的研磨，研磨至單晶硅的表面；
進行溝槽柵的曝光定義；
成長摻雜N型多晶硅；
對多晶柵進行刻蝕；
正面進行源和P阱的注入和推阱；
背面進行硅片減薄；
進行集電極的蒸金。
2.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，第一層N型外延磷離子體濃度從1E17逐漸減少到1E13。
3.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，第二次N型外延，磷離子體濃度從1E15到1E13。
4.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，硅片正面曝光0.5以上微米的圖形，進行P柱的刻蝕。
5.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，刻蝕形成5微米以上深的槽。
6.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，對孔或槽成長高摻雜硼的外延，體濃度在1E15以上。
7.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，成長摻雜N型多晶硅，厚度大于500埃。
8.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，背面進行硅片減薄，減薄至50微米以上。
9.如權利要求1所述的結合超級結穿通型溝槽IGBT器件制造方法，其特征在于，進行集電極的蒸金，金屬的厚度在1微米以上。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
