[發(fā)明專利]射頻芯片電路

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110382665.X
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN103136572A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設計）人: 蔣志勇
• 申請（專利權(quán)）人: 上海博騰信息科技有限公司
• 主分類號: G06K19/077
• 分類號: G06K19/077
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)技術，尤其涉及一種射頻芯片電路。

背景技術

物聯(lián)網(wǎng)是新一代信息技術的重要組成部分。顧名思義，″物聯(lián)網(wǎng)就是物物相連的互聯(lián)網(wǎng)″。這有兩層意思：第一，物聯(lián)網(wǎng)的核心和基礎仍然是互聯(lián)網(wǎng)，是在互聯(lián)網(wǎng)基礎上的延伸和擴展的網(wǎng)絡；第二，其用戶端延伸和擴展到了任何物品與物品之間，進行信息交換和通信。因此，物聯(lián)網(wǎng)的定義是通過射頻識別、紅外感應器、全球定位系統(tǒng)、激光掃描器等信息傳感設備，按約定的協(xié)議，把任何物品與互聯(lián)網(wǎng)相連接，進行信息交換和通信，以實現(xiàn)對物品的智能化識別、定位、跟蹤、監(jiān)控和管理的一種網(wǎng)絡。

和傳統(tǒng)的互聯(lián)網(wǎng)相比，物聯(lián)網(wǎng)有其鮮明的特征。首先，它是各種感知技術的廣泛應用。物聯(lián)網(wǎng)上部署了海量的多種類型傳感器，每個傳感器都是一個信息源，不同類別的傳感器所捕獲的信息內(nèi)容和信息格式不同。傳感器獲得的數(shù)據(jù)具有實時性，按一定的頻率周期性的采集環(huán)境信息，不斷更新數(shù)據(jù)。

其次，它是一種建立在互聯(lián)網(wǎng)上的泛在網(wǎng)絡。物聯(lián)網(wǎng)技術的重要基礎和核心仍舊是互聯(lián)網(wǎng)，通過各種有線和無線網(wǎng)絡與互聯(lián)網(wǎng)融合，將物體的信息實時準確地傳遞出去。在物聯(lián)網(wǎng)上的傳感器定時采集的信息需要通過網(wǎng)絡傳輸，由于其數(shù)量極其龐大，形成了海量信息，在傳輸過程中，為了保障數(shù)據(jù)的正確性和及時性，必須適應各種異構(gòu)網(wǎng)絡和協(xié)議。

還有，物聯(lián)網(wǎng)不僅僅提供了傳感器的連接，其本身也具有智能處理的能力，能夠?qū)ξ矬w實施智能控制。物聯(lián)網(wǎng)將傳感器和智能處理相結(jié)合，利用云計算、模式識別等各種智能技術，擴充其應用領域。從傳感器獲得的海量信息中分析、加工和處理出有意義的數(shù)據(jù)，以適應不同用戶的不同需求，發(fā)現(xiàn)新的應用領域和應用模式。

發(fā)明內(nèi)容

為應對物聯(lián)網(wǎng)的需要，本發(fā)明提出了一種新型的射頻芯片電路。

具體地，本發(fā)明的射頻芯片電路，包括：

電壓鎖定模塊；

整流模塊，與所述電壓鎖定模塊并聯(lián)；

芯片信息存儲模塊，與所述整流模塊信號連接；

射頻收發(fā)線圈，與所述電壓鎖定模塊并聯(lián)；以及

防靜電模塊，連接于所述電壓鎖定模塊與所述射頻收發(fā)線圈之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在上述的射頻芯片電路中，還包括：電壓信號采集模塊，連接于所述電壓鎖定模塊與所述射頻收發(fā)線圈之間，其中該電壓信號采集模塊采集所述射頻收發(fā)線圈的電壓信號并將采集到的電壓信號傳送給所述電壓鎖定模塊。

根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在上述的射頻芯片電路中，當所述射頻收發(fā)線圈的電壓信號顯示所述射頻收發(fā)線圈的電壓超過一預定值時，所述電壓鎖定模塊將所述射頻收發(fā)線圈兩端的電壓鎖定到所述預定值。

根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在上述的射頻芯片電路中，所述預定值在2V到3.5V之間，且所述整流模塊的工作電壓在20V到25V之間。

根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在上述的射頻芯片電路中，當所述射頻收發(fā)線圈的電壓信號顯示所述射頻收發(fā)線圈的電壓小于或等于所述預定值時，所述電壓鎖定模塊不工作。

根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在上述的射頻芯片電路中，所述電壓鎖定模塊包括：變壓器；場效應晶體管，所述場效應晶體管的漏極連接到所述變壓器，源極接地；以及觸發(fā)模塊，其輸入端連接到所述電壓信號采集模塊，其輸出端連接到所述場效應晶體管的漏極。

根據(jù)本發(fā)明的一個優(yōu)選實施例，在上述的射頻芯片電路中，所述觸發(fā)模塊包括一電容電阻并聯(lián)模塊以及與所述電容電阻并聯(lián)模塊串聯(lián)的二極管。

本發(fā)明的射頻芯片電路可以采用低電壓器件電路設計，減少了設計及加工難度，從而可以進一步降低制造成本并提高產(chǎn)品的耐用性和可靠性。特別是，本發(fā)明可以避免采用傳統(tǒng)射頻芯片所使用的高壓器件，只需采用常規(guī)器件就可以實現(xiàn)本發(fā)明的射頻芯片電路的制造，節(jié)省了制造基板的層數(shù)，大大降低了制造成本。

應當理解，本發(fā)明以上的一般性描述和以下的詳細描述都是示例性和說明性的，并且旨在為如權(quán)利要求所述的本發(fā)明提供進一步的解釋。

附圖說明

附圖主要是用于提供對本發(fā)明進一步的理解。附圖示出了本發(fā)明的實施例，并與本說明書一起起到解釋本發(fā)明原理的作用。附圖中：

圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的射頻芯片電路的基本結(jié)構(gòu)。

圖2示意性地是出了圖1所示的射頻芯片電路的電壓鎖定模塊的電路圖。

具體實施方式

以下結(jié)合附圖詳細描述本發(fā)明的技術方案。