[發明專利]圖像傳感器的制造方法有效
| 申請號: | 201110382619.X | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN102437169A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發明(設計)人: | 趙立新;霍介光 | 申請(專利權)人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 鄭立柱 |
| 地址: | 201203 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 圖像傳感器 制造 方法 | ||
1.一種圖像傳感器的制作方法,包括下述步驟:
a.提供芯片襯底,所述芯片襯底的第一面包括至少一個具有多個感光單元的感光單元陣列,并且所述第一面上形成有介質層;
b.部分刻蝕所述介質層,以形成位于所述感光單元陣列的多個感光單元的至少部分邊界上的多個第一溝槽;
c.采用第一熱塑材料將所述芯片襯底的第一面粘合在支持襯底上;
d.對所述芯片襯底的第二面進行背面磨削以將所述芯片襯底減薄至中間厚度;
e.對所述支持襯底加熱至第一預定溫度以軟化所述第一熱塑材料,并將所述芯片襯底減薄至預定厚度;
f.對所述支持襯底加熱至第二預定溫度以軟化所述第一熱塑材料,并從所述芯片襯底的第二面部分刻蝕所述芯片襯底以形成多個與所述第一溝槽連通的第二溝槽,從而使得所述感光單元陣列中的至少部分感光單元相互分離。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步驟e中,對所述支持襯底加熱至第一預定溫度以使得所述第一熱塑材料的硬度降低至少50%。
3.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步驟f中,對所述支持襯底加熱至第二預定溫度以使得所述第一熱塑材料的硬度降低至少50%。
4.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,在所述步驟e中,所述減薄包括化學機械拋光、干法刻蝕或濕法刻蝕。
5.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述步驟b包括:在所述感光單元陣列中的每個感光單元的邊界上形成所述第一溝槽。
6.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一溝槽的寬度不超過所述感光單元節距的30%。
7.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第一熱塑材料包括石蠟或熱熔膠。
8.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述預定厚度為1至4微米。
9.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述第二溝槽的寬度不超過所述第一溝槽的寬度。
10.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,所述第二溝槽的寬度不超過0.3微米。
11.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述中間厚度不小于5微米。
12.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,還包括:
切割所述芯片襯底以分離所述至少一個感光單元陣列。
13.根據權利要求12所述的制作方法,其特征在于,所述切割步驟包括:采用激光切割或機械切割方式切割所述芯片襯底。
14.根據權利要求12所述的制作方法,其特征在于,還包括:
g.提供轉移裝置,所述轉移裝置具有轉移面以及管道,所述管道一端的開口位于所述轉移面中部;
h.采用第二熱塑材料將所述感光單元陣列粘合在所述轉移面上;
i.加熱所述支持襯底以使得所述第一熱塑材料的粘度低于所述第二熱塑材料的粘度,相對移動所述支持襯底與所述轉移裝置以使得所述感光單元陣列從所述支持襯底分離。
15.根據權利要求14所述的制作方法,其特征在于,還包括:
j.加熱所述轉移裝置,并向所述管道中注入流體以在所述感光單元陣列的中部形成凸起;
k.將所述凸起的感光單元陣列貼合在具有預定形狀的凹面的調節基座上,或者將所述凸起的感光單元陣列貼合在具有預定形狀的凹面的調節基座以及具有預定形狀的凸面的調節裝置之間,以將所述凸起的感光單元陣列的形狀調整為與所述預定形狀一致;
l.提供具有所述預定形狀的曲面的封裝件,并將所述感光單元陣列粘附在所述曲面中。
16.根據權利要求14所述的制作方法,其特征在于,所述步驟i包括:沿所述支持襯底平面的方向移動所述轉移裝置。
17.根據權利要求14或15所述的制作方法,其特征在于,所述第二熱塑材料包括石蠟或熱熔劑。
18.根據權利要求15所述的制作方法,其特征在于,所述流體包括空氣、氮氣或所述第二熱塑材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





