[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110382499.3
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN103137885A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 周明杰;王平;鐘鐵濤;馮小明
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)，包括陽極基板、功能層、發(fā)光層、金屬陰極和封裝層，陽極基板和封裝層形成一封閉空間，功能層、發(fā)光層、和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)，其特征在于，所述封裝層依次包括氮化物膜、氧化物膜和負(fù)載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜，氧化物膜為SiO₂、GeO₂和SnO₂膜中的一種或幾種并摻雜有金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜，在金屬陰極和氮化物膜之間設(shè)置有SiO膜作為保護(hù)層。

2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氮化物膜為SiN膜、Si₃N₄膜或AlN膜。

3.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述SiO膜的厚度為100～150nm。

4.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述摻雜金屬元素的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的15～30％。

5.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述氧化物膜為單層，單層的厚度為100～150nm。

6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)在陽極基板上制備功能層、發(fā)光層和金屬陰極；

(2)通過真空蒸鍍的方式在金屬陰極表面制備SiO膜作為保護(hù)層；

(3)通過磁控濺射的方式在SiO膜表面制備氮化物膜；

(4)通過磁控濺射的方式在氮化物膜表面制備氧化物膜，氧化物膜為SiO₂、GeO₂和SnO₂膜中的一種或幾種并摻雜有金屬元素Ca、Ba、Sr和Mg中的一種或幾種形成的膜；

(5)在氮化物膜表面制備負(fù)載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜；

(6)在SiO膜、氮化物膜、氧化物膜、負(fù)載有金屬鋁的耐高溫聚酯薄膜以及陽極基板邊緣涂布紫外線膠，由紫外線固化的方式干燥硬化紫外線膠，然后用UV光進(jìn)行固化，密封形成一封閉空間，將功能層、發(fā)光層和金屬陰極容置在該封閉空間內(nèi)。

7.如權(quán)利要求6所述的封裝方法，其特征在于，步驟(2)中所述SiO膜的厚度為100～150nm。

8.如權(quán)利要求6所述的封裝方法，其特征在于，步驟(3)中所述氮化物膜為SiN膜、Si₃N₄膜或AlN膜。

9.如權(quán)利要求6所述的封裝方法，其特征在于，步驟(4)中所述摻雜金屬元素的質(zhì)量占氧化物膜總質(zhì)量的15～30％。

10.如權(quán)利要求6所述的封裝方法，其特征在于，步驟(4)中所述氧化物膜為單層，單層的厚度為100～150nm。