[發明專利]柔性的量子點敏化的太陽能電池

無效

• 申請號: 201110382423.0
• 申請日: 2011-10-11
• 公開（公告）號: CN102543461A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: M·王;L·趙;Z·鄭;A·劉
• 申請（專利權）人: 霍尼韋爾國際公司
• 主分類號: H01G9/042
• 分類號: H01G9/042;H01G9/048;H01G9/20;H01M14/00;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 徐厚才;楊思捷

1.方法，其包括：

在柔性襯底電極上形成TiO₂的圖案化的層；

在該TiO₂的圖案化的層上形成量子點；

形成柔性反電極；

將具有所述量子點的所述襯底電極和所述柔性反電極組裝成其中間具有墊片的夾層結構；以及

在所述襯底電極和柔性反電極之間注入電解液和密封劑以形成太陽能電池。

2.根據權利要求1的方法，其中所述量子點通過化學沉積而沉積在圖案化的TiO₂上。

3.根據權利要求1的方法，其中所述柔性襯底電極由用錫摻雜的氧化銦涂覆的聚對苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯形成。

4.根據權利要求1或2的方法，其中使用原位合成將所述量子點形成到所述圖案化的TiO₂上。

5.根據權利要求1的方法，其中所述反電極包括一個或更多個針孔，通過該針孔注入密封劑。

6.根據權利要求1的方法，其中所述電解液包括在純水和甲醇混合物中的1M?Na₂S、0.1M?S、0.2M?KCl溶液。

7.根據權利要求1、2或4的方法，其中所述量子點由MgO、MgS、MgSe、MgTe、CaO、CaS、CaSe、CaTe、SrO、SrS、SrSe、SrTe、BaO、BaS、BaSe、BaTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、Al₂O₃、Al₂S₃、Al₂Se₃、Al₂Te₃、Ga₂O₃、Ga₂S₃、Ga₂Se₃、Ga₂Te₃、In₂O₃、In₂S₃、In₂Se₃、In₂Te₃、SiO₂、GeO₂、SnO₂、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbO₂、PbS、PbSe、PbTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs和InSb形成。

8.器件，其包括：

柔性襯底電極，其具有包含量子點的圖案化的TiO₂層；

柔性反電極；

置于所述柔性襯底電極和所述柔性反電極之間的墊片；以及

注入到所述柔性襯底電極和所述柔性反電極之間的電解液和密封劑。

9.根據權利要求8的器件，其中所述柔性襯底電極由用錫摻雜的氧化銦涂覆的柔性聚合物形成。

10.根據權利要求8或9的器件，其中所述量子點由MgO、MgS、MgSe、MgTe、CaO、CaS、CaSe、CaTe、SrO、SrS、SrSe、SrTe、BaO、BaS、BaSe、BaTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、Al₂O₃、Al₂S₃、Al₂Se₃、Al₂Te₃、Ga₂O₃、Ga₂S₃、Ga₂Se₃、Ga₂Te₃、In₂O₃、In₂S₃、In₂Se₃、In₂Te₃、SiO₂、GeO₂、SnO₂、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbO₂、PbS、PbSe、PbTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs和InSb形成。