[發(fā)明專利]微電機轉(zhuǎn)子的磁環(huán)無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110382294.5 | 申請日: | 2011-11-27 |
| 公開(公告)號: | CN103138430A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳朝輝 | 申請(專利權(quán))人: | 陳朝輝 |
| 主分類號: | H02K1/22 | 分類號: | H02K1/22 |
| 代理公司: | 常州市維益專利事務所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
| 地址: | 213172 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 微電機 轉(zhuǎn)子 | ||
技術(shù)領域
本發(fā)明涉及電機技術(shù)領域,尤其是一種微電機轉(zhuǎn)子的磁環(huán)。
背景技術(shù)
微電機現(xiàn)在已經(jīng)廣泛應用于自動化、機電等領域。在微電機及步進電機等領域中廣泛使用多極磁環(huán)用為轉(zhuǎn)子,在外加線圈中通過一個脈沖電流后,轉(zhuǎn)子就轉(zhuǎn)過一個固定的角度。
傳統(tǒng)的多極磁環(huán)是使用多塊磁體粘接而成,但在制作小型微電機時很難加工,同時由于是多個磁塊拼接,很難將磁極角度做準確,同時由于拼接時很難做到整個磁環(huán)質(zhì)量均勻,使得磁環(huán)的動平衡差,增加了電機的振動和噪音,影響電機性能。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是:基于上述問題,本發(fā)明提供一種結(jié)構(gòu)簡單、多個磁塊的磁極間距及磁極間角度準確的微電機轉(zhuǎn)子的磁環(huán)。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供一種微電機轉(zhuǎn)子的磁環(huán),包括磁環(huán)體和至少兩對圓弧形磁塊,所述的磁環(huán)體為磁性材料注塑而成的一體結(jié)構(gòu),所述的磁塊鑲嵌在磁環(huán)體內(nèi),磁塊按相互顛倒的極性均勻排列在磁環(huán)體內(nèi),所述的磁環(huán)體的上表面上開設有一小孔,上表面向著磁環(huán)體內(nèi)壁一側(cè)連接有第一斜面,第一斜面連接著第一端面,第一端面上分布有圓周等分的四個圓柱狀凸起及兩個相對設置的圓孔,磁環(huán)體的底面向著磁環(huán)體內(nèi)壁一側(cè)依次設置有第一臺階、第二斜面和第二端面。
所述的磁塊為四對。
所述的磁環(huán)體為圓筒形結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明為磁性材料一次成型轉(zhuǎn)子的磁環(huán),保證了磁環(huán)的同心度及質(zhì)量的均勻性,同時在成型同時鑲嵌有至少兩對磁塊,使得制成的磁環(huán)具有了多極磁場。
附圖說明
下面結(jié)合附圖實施例對本發(fā)明進一步說明。
圖1是本發(fā)明的剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本發(fā)明的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:1.磁環(huán)體,2.磁塊,3.小孔,4.第一斜面,5.第一端面,6.凸起,7.圓孔,8.第一臺階,9.第二斜面,10.第二端面。
具體實施方式
現(xiàn)在結(jié)合具體實施例對本發(fā)明作進一步說明,以下實施例旨在說明本發(fā)明而不是對本發(fā)明的進一步限定。
如圖1~2所示的微電機轉(zhuǎn)子的磁環(huán),包括磁環(huán)體1和至少兩對圓弧形磁塊2,磁環(huán)體1為磁性材料注塑而成的一體結(jié)構(gòu),磁塊2鑲嵌在磁環(huán)體1內(nèi),磁塊2按相互顛倒的極性均勻排列在磁環(huán)體1內(nèi),磁環(huán)體1的上表面上開設有一小孔3,上表面向著磁環(huán)體1內(nèi)壁一側(cè)連接有第一斜面4,第一斜面4連接著第一端面5,第一端面5上分布有圓周等分的四個圓柱狀凸起6及兩個相對設置的圓孔7,磁環(huán)體1的底面向著磁環(huán)體1內(nèi)壁一側(cè)依次設置有第一臺階8、第二斜面9和第二端面10。
磁塊2為四對。
磁環(huán)體1為圓筒形結(jié)構(gòu)。
以上述依據(jù)本發(fā)明的理想實施例為啟示,通過上述的說明內(nèi)容,相關工作人員完全可以在不偏離本項發(fā)明技術(shù)思想的范圍內(nèi),進行多樣的變更以及修改。本項發(fā)明的技術(shù)性范圍并不局限于說明書上的內(nèi)容,必須要根據(jù)權(quán)利要求范圍來確定其技術(shù)性范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于陳朝輝,未經(jīng)陳朝輝許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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