[發(fā)明專利]一種LED器件及其制作方法無效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110382203.8 | 申請(qǐng)日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102437276A | 公開(公告)日: | 2012-05-02 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王森;趙昆 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 四川新力光源有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L33/60 | 分類號(hào): | H01L33/60;H01L33/00 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯長明 |
| 地址: | 611731 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 led 器件 及其 制作方法 | ||
1.一種LED器件,其特征在于,包括:
基板;
位于所述基板上的芯片;
與所述基板相對(duì)設(shè)置的第一透鏡,所述芯片位于所述基板與第一透鏡之間;
設(shè)置在所述第一透鏡內(nèi)表面、外表面或內(nèi)部的第一粒子層,所述第一粒子層包括熒光粉,還包括光擴(kuò)散粒子或反光粒子;
其中,所述光擴(kuò)散粒子能夠散射芯片和熒光粉發(fā)出的光,所述反光粒子能夠反射芯片發(fā)出的光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED器件,其特征在于,還包括:
設(shè)置在所述基板上的反光層;且所述芯片位于所述反光層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED器件,其特征在于,所述第一粒子層包括熒光粉和反光粒子。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED器件,其特征在于,所述第一粒子層還包括:光擴(kuò)散粒子。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED器件,其特征在于,所述第一粒子層中的反光粒子和光擴(kuò)散粒子的折射率均在1.50-2.00之間,白度均大于50,光擴(kuò)散粒子的透過率大于50%。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED器件,其特征在于,所述反光粒子包括:金紅石型TiO2、銳鈦型TiO2、ZnO、BaSO4、CaCO3和由TiO2與CaSO4所組成的復(fù)合材料中的一種或多種。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED器件,其特征在于,所述反光粒子、光擴(kuò)散粒子和熒光粉這三者的質(zhì)量比為0.1~4∶0.1~4∶0.1~4。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的LED器件,其特征在于,還包括:
與所述第一透鏡相對(duì)設(shè)置的第二透鏡,所述第二透鏡和芯片位于所述第一透鏡兩側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED器件,其特征在于,還包括:
設(shè)置在所述第二透鏡外表面、內(nèi)表面或內(nèi)部的第二粒子層,所述第二粒子層包括光擴(kuò)散粒子和反光粒子中的一種或兩種。
10.一種LED器件制作方法,其特征在于,包括:
提供基板;
在所述基板上設(shè)置芯片;
在所述基板設(shè)置有芯片的一側(cè)設(shè)置第一透鏡,且所述第一透鏡內(nèi)表面、外表面或內(nèi)部具有第一粒子層,所述第一粒子層包括熒光粉,還包括光擴(kuò)散粒子或反光粒子;其中,所述光擴(kuò)散粒子能夠散射芯片和熒光粉發(fā)出的光,所述反光粒子能夠反射芯片發(fā)出的光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LED器件制作方法,其特征在于,還包括:
在所述基板上形成反光層;且所述芯片位于所述反光層上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的LED器件制作方法,其特征在于,還包括:
在所述第一透鏡的一側(cè)設(shè)置第二透鏡,所述第二透鏡和芯片位于所述第一透鏡兩側(cè),且所述第二透鏡外表面、內(nèi)表面或內(nèi)部具有第二粒子層,所述第二粒子層包括光擴(kuò)散粒子和反光粒子中的一種或兩種。
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