[發(fā)明專利]一種集成電路芯片重新布線的壓印方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110381993.8 | 申請日： | 2011-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102522366B | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金鵬;李磊 | 申請（專利權(quán)）人： | 北京大學深圳研究生院 |
| 主分類號： | H01L21/768 | 分類號： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳鼎合誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 集成電路 芯片 重新 布線 壓印 方法 | ||
1.一種實現(xiàn)晶圓級倒裝芯片重新布線的制作方法，其特征在于：所述方法包括：
步驟一：在硅圓片上淀積第一介質(zhì)鈍化層；
步驟二：對所述第一介質(zhì)鈍化層進行光刻，使露出I/O互連焊點；
步驟三：在所述硅圓片上涂覆適量的納米金屬顆粒溶液，用印壓模具擠壓所述溶液，使其填滿所述印壓模具的空腔，所述印壓模具的圖形部分由空腔和突出部分組成，所述空腔結(jié)構(gòu)決定互連線寬度和焊盤形狀，所述突出部分決定互連線線間距；
步驟四：蒸發(fā)所述溶液，冷卻并脫模后，在預定的溫度和壓力條件下加熱納米金屬顆粒，使其熔融并凝結(jié)成塊狀金屬，完成金屬互連線；
步驟五：在所述金屬互連線和第一介質(zhì)鈍化層上淀積第二介質(zhì)鈍化層，并刻蝕露出焊盤。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述空腔截面形狀制成倒梯形或弧形，所述空腔在預定制作焊盤的位置為焊盤的形狀。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述納米金屬顆粒溶液的材料是金、銀、銅中的至少一種與有機溶劑混合而成的材料。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：所述步驟四的具體步驟包括蒸發(fā)所述溶液，冷卻并脫模后，在130°-940℃的溫度范圍內(nèi)，和小于40kPa的壓力條件下加熱尺寸為2-10nm的納米金屬顆粒，使其熔融并凝結(jié)成塊狀金屬，完成金屬互連線。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
