[發明專利]TiO2/石墨棒納米片復合電極材料及其制備和應用無效
| 申請號： | 201110380842.0 | 申請日： | 2011-11-25 |
| 公開（公告）號： | CN102509638A | 公開（公告）日： | 2012-06-20 |
| 發明（設計）人： | 胡中愛;胡英瑛;張亞軍;徐歡;魯愛蓮;吳紅英;李麗;李志敏 | 申請（專利權）人： | 西北師范大學 |
| 主分類號： | H01G9/042 | 分類號： | H01G9/042 |
| 代理公司： | 甘肅省知識產權事務中心 62100 | 代理人： | 張英荷 |
| 地址： | 730070 甘肅*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tio sub 石墨 納米 復合 電極 材料 及其 制備 應用 | ||
1.一種TiO2/石墨棒納米片復合電極材料，是以電化學剝離處理的石墨棒納米片作為基底原料，以TiCl3溶液作為電鍍液，通過恒電位電沉積法于石墨棒納米片基底表面沉積一層厚度為5~15nm、致密均勻的TiO2而得。
2.如權利要求1所述TiO2/石墨棒納米片復合電極材料的制備方法，是先將經清洗處理的石墨棒進行電化學剝離處理，得到石墨棒納米片基底；再以濃度為0.1~0.4mol/L的TiCl3溶液作為電鍍液，以石墨棒納米片基底作為工作電極，鉑網作為輔助電極，飽和甘汞電極作為參比電極，在0.6~1.0V下恒電位電沉積4~20min；電沉積完畢后，用水充分沖洗，于40℃~60℃下真空干燥，得TiO2/石墨棒納米片復合電極材料。
3.如權利要求2所述TiO2/石墨棒納米片復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述石墨棒的清洗處理工藝為：將石墨棒進行打磨處理使其圓面比較平整光滑，用水反復超聲清洗后置于4~6?mol/L的HCl溶液中刻蝕20?~60min；刻蝕完畢后用水、丙酮溶液超聲清洗，真空干燥。
4.如權利要求2所述TiO2/石墨棒納米片復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述石墨棒為天然石墨棒、人工石墨棒、高溫裂解石墨棒。
5.如權利要求2所述TiO2/石墨棒納米片復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述石墨棒的電化學剝離處理工藝為：將經清洗的石墨棒置于0.01~0.05mol/L陰離子表面活性劑的水溶液中，控制電壓在2~9V，于20℃~35℃下處理10~15h，洗滌，得到石墨棒納米片基底。
6.如權利要求5所述TiO2/石墨棒納米片復合電極材料的制備方法，其特征在于：所述陰離子表面活性劑為：十二烷基苯磺酸鈉，十二烷基硫酸鈉，十六烷基磺酸鈉。
7.如權利要求1所述TiO2/石墨棒納米片復合電極材料作為超級電容器電極。
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