[發明專利]半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201110380604.X
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102479808A
• 公開（公告）日: 2012-05-30
• 發明（設計）人: 皮在賢;李宜珩;崔朱逸;金晶煥
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L21/28
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 姜盛花;陳源

1.一種半導體器件，包括：

襯底，具有上表面和與所述上表面相對的下表面；以及

穿透電極，其穿過所述襯底，

其中，所述穿透電極包括從所述下表面突出的突出部分，并且所述襯底包括從所述下表面朝向所述突出部分延伸以圍繞所述突出部分的周向側面的支撐部分。

2.根據權利要求1的半導體器件，其中，所述支撐部分的高度小于所述突出部分的突出高度。

3.根據權利要求2的半導體器件，其中，所述支撐部分的高度大于所述突出部分的突出高度的約1/2，并且至少圍繞所述突出部分的約1/2。

4.根據權利要求2的半導體器件，其中，所述支撐部分隨著與所述突出部分的橫向距離增大而具有下行斜面。

5.根據權利要求2的半導體器件，其中，所述支撐部分具有圓錐形狀，該圓錐形狀具有從所述下表面朝向所述突出部分的上行斜面，并且沿著圓錐形狀的所述支撐部分的中心軸線布置所述穿透電極。

6.根據權利要求2的半導體器件，其中，所述支撐部分具有直角三角形截面，該直角三角形截面的高度小于所述突出部分的突出高度，并且該直角三角形截面的底邊的長度大于所述高度。

7.根據權利要求6的半導體器件，其中，所述支撐部分的底邊長度是所述支撐部分的高度的至少兩倍。

8.根據權利要求1的半導體器件，其中，所述支撐部分由與所述襯底相同的材料構成。

9.根據權利要求1的半導體器件，還包括：

絕緣層，其布置在所述穿透電極的側面上，以使所述穿透電極與所述襯底電絕緣；以及

保護層，其覆蓋所述突出部分的側面和所述襯底的下表面。

10.根據權利要求1的半導體器件，其中，所述穿透電極還包括從所述上表面突出的上部突出部分，并且所述襯底還包括上部支撐部分，該上部支撐部分從所述上表面朝向所述上部突出部分延伸以圍繞所述上部突出部分的側面。

11.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括步驟：

提供襯底，該襯底包括上表面、與所述上表面相對的下表面、以及通過所述上表面和下表面暴露的穿透電極；

使所述襯底的下表面凹進，以形成比所述下表面更接近所述上表面的凹進的下表面；以及

形成覆蓋所述凹進的下表面的保護層，

其中，形成所述凹進的下表面的步驟包括形成支撐部分，該支撐部分與從所述凹進的下表面突出的穿透電極的突出部分鄰接。

12.根據權利要求11的方法，其中，形成所述支撐部分的步驟包括：

使所述穿透電極從所述凹進的下表面突出；以及

形成所述支撐部分，所述支撐部分具有從所述凹進的下表面朝向所述穿透電極的突出部分的上行斜面并且圍繞所述穿透電極的突出部分的周向側面。

13.根據權利要求12的方法，其中，所述支撐部分包括圓錐形狀的支撐部分，該圓錐形狀的支撐部分以上行斜面的方式從所述凹進的下表面開始延伸而形成具有大于約1/2的所述突出部分的突出高度的高度。

14.根據權利要求13的方法，其中，所述支撐部分的底邊長度是所述支撐部分的高度的至少兩倍。

15.根據權利要求11的方法，其中，使襯底的下表面凹進的步驟包括使用漿料來對所述下表面進行化學機械拋光，所述漿料包括水、二氧化硅和胺類化合物。

16.根據權利要求11的方法，其中，形成所述保護層的步驟包括：

形成絕緣層，該絕緣層覆蓋所述穿透電極的突出部分和所述凹進的下表面；以及

選擇性地去除所述絕緣層，以形成暴露所述穿透電極的突出部分的保護層。

17.根據權利要求16的方法，其中，所述絕緣層包括在所述支撐部分上形成的折疊部分，并且構成所述折疊部分的絕緣層的水平分量和垂直分量之間的折疊角約為90°或更大。