[發明專利]太陽能電池、太陽能電池組及其制備方法有效
| 申請號: | 201110380590.1 | 申請日: | 2011-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN103137716A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 金元浩;李群慶;范守善 | 申請(專利權)人: | 清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/0232;H01L31/068;H01L25/04;H01L31/18 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 太陽能 電池組 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池,其包括:依次并排且接觸設置的一第一電極層、一P型硅層、一N型硅層及一第二電極層,該P型硅層與該N型硅層接觸并形成一P-N結區,其特征在于,上述各層沿一直線連續設置成一排構成一整體結構,所述整體結構具有一第一表面平行于該直線以及一與該第一表面相對的第二表面,且該第一表面為該太陽能電池直接接受光線入射的受光端面,所述太陽能電池還包括一反射元件,所述反射元件設置于第二表面一側。
2.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,該P型硅層具有相對的一第一側面和一第二側面,該N型硅層具有相對的一第三側面和一第四側面,該第一電極層設置在該P型硅層的第一側面,并與該P型硅層電接觸,該第二電極層設置在該N型硅層的第四側面,并與該N型硅層電接觸,該P型硅層進一步具有一與所述第一側面和第二側面相連的第三表面,該N型硅層進一步具有一與所述第三側面和第四側面相連的第四表面,所述第三表面及第四表面共同構成所述受光端面。
3.如權利要求2所述的太陽能電池,其特征在于,該第二電極層為整體覆蓋該N型硅層的第四側面的金屬材料層,該第一電極層為整體覆蓋該P型硅層的第一側面的金屬材料層。
4.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述受光端面進一步覆蓋有一厚度小于150納米的減反射層,所述減反射層的材料為氮化硅或二氧化硅。
5.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述P-N結區通過所述受光端面暴露出所述P型硅層和所述N型硅層。
6.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述第一表面與所述第二表面之間的距離為50微米~300微米。
7.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述反射元件包括一反射層,所述反射層的材料為鋁、金、銅及銀中的一種或上述任意組合的合金。
8.如權利要求7所述的太陽能電池,其特征在于,所述反射層與所述第二表面接觸設置且與所述第一電極層和第二電極層電絕緣。
9.如權利要求7所述的太陽能電池,其特征在于,所述反射層與所述第二表面間隔設置。
10.如權利要求9所述的太陽能電池,其特征在于,所述反射元件還包括一透明絕緣層,所述透明絕緣層設置于所述反射層與所述第二表面之間。
11.如權利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述反射元件為多個設置于所述第二表面的微結構。
12.如權利要求11所述的太陽能電池,其特征在于,所述微結構為凹槽或凸起。
13.如權利要求11所述的太陽能電池,其特征在于,所述微結構的形狀為V形、圓柱形、半圓球形、金字塔形以及削去尖端部分的金字塔形中的一種或幾種。
14.如權利要求11所述的太陽能電池,其特征在于,所述微結構在所述第二表面均勻分布。
15.如權利要求11所述的太陽能電池,其特征在于,所述微結構表面設置有反射材料。
16.一種太陽能電池組,其包括:多個串聯設置的太陽能電池,每個太陽能電池包括依次并排且接觸設置的一第一電極層、一P型硅層、一N型硅層及一第二電極層,該P型硅層與該N型硅層接觸并形成一P-N結區,其特征在于,上述每個太陽能電池中的各層沿一直線連續設置成一排構成一整體結構,所述整體結構具有一第一表面平行于該直線以及一與該第一表面相對的第二表面,且該第一表面為該太陽能電池直接接受光線入射的受光端面,所述太陽能電池還包括一反射元件,所述反射元件設置于第二表面一側。
17.如權利要求16所述的太陽能電池組,其特征在于,所述每個太陽能電池的第二電極層與相鄰的太陽能電池的第一電極層接觸,該多個太陽能電池的第一表面共同構成該太陽能電池組直接接受光線入射的受光端面。
18.如權利要求17所述的太陽能電池組,其特征在于,所述每個太陽能電池的P-N結區通過所述受光端面暴露出所述P型硅層和所述N型硅層。
19.如權利要求16所述的太陽能電池組,其特征在于,所述多個太陽能電池共有一反射元件,且該反射元件包括一透明絕緣層以及一反射層,所述透明絕緣層將所述多個太陽能電池的第二表面整個覆蓋,所述反射層將所述透明絕緣層整個覆蓋。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司,未經清華大學;鴻富錦精密工業(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110380590.1/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:后變速器
- 下一篇:生物質重油加氫裂化催化劑及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





