[發明專利]一種納米氧化物粉體的制造方法和裝置

有效

• 申請號: 201110380545.6
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102491279A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發明（設計）人: 胡晞
• 申請（專利權）人: 蘇州華微特粉體技術有限公司;胡晞
• 主分類號: C01B13/14
• 分類號: C01B13/14;B82Y40/00
• 代理公司: 北京海虹嘉誠知識產權代理有限公司 11129
• 代理人: 吳小燦

1.一種納米氧化物粉體的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)首先將單質物質加熱融化為熔融單質物質，然后與鹵族氣體反應生成氣態鹵化物；

2)再將氣態鹵化物與水蒸汽發生反應，生成對應的固體氧化物和氣體鹵化氫；

3)將固體氧化物和氣體鹵化氫進行固氣分離，收集所制得的固體即為納米氧化物粉體，氣體送后續工序處理。

2.根據權利要求1所述的納米氧化物粉體的制造方法，其特征在于，在熔融單質物質與鹵族氣體反應生成氣態鹵化物的過程中，通過導入一定量的不參與反應的其他氣體，以調整鹵化物的濃度。

3.根據權利要求1或2所述的納米氧化物粉體的制造方法，其特征在于，所述水蒸汽在與氣態鹵化物發生反應前吸收熔融單質物質與鹵族氣體反應時釋放的反應熱，并使自身達到與氣態鹵化物發生反應的溫度要求。

4.根據權利要求3所述的納米氧化物粉體的制造方法，其特征在于，在氣態鹵化物與水蒸汽發生反應時，導入催化劑氣體。

5.根據權利要求4所述的納米氧化物粉體的制造方法，其特征在于，在分離固體氧化物和氣體鹵化氫前，通過導入一定量的不參與反應的常溫氣體，降低生成物溫度，使生成的固體氧化物粉體表面活性降低。

6.一種納米氧化物粉體的制造裝置，其特征在于，包括依次連接的雙層套筒式熔池、反應器和分離器，雙層套筒式熔池的內筒連接輸送加熱融化的熔融單質物質的導管，輸送鹵族氣體的導管連接在雙層套筒式熔池的內筒底部，輸送不參與反應的調整鹵化物濃度的氣體導管連接在雙層套筒式熔池的內筒頂部，雙層套筒式熔池的外筒連接輸送水蒸汽的導管；所述反應器具有連接所述外筒的水蒸汽入口以及連接所述內筒的氣態鹵化物和調整鹵化物濃度的氣體入口；分離器上具有固體氧化物粉體的收集口以及氣體排出口。

7.根據權利要求1所述的納米氧化物粉體的制造裝置，其特征在于，在反應器和分離器的接口附近具有導入不參與反應的其他氣體的導管。

8.根據權利要求6或7所述的納米氧化物粉體的制造裝置，其特征在于，所述雙層套筒式熔池的內筒選擇與所述熔融單質物質的物理與化學性質相適配的材料制備。

9.根據權利要求6或7所述的納米氧化物粉體的制造裝置，其特征在于，所述輸送鹵族氣體的導管采用耐鹵族氣體腐蝕的材料制備。

10.根據權利要求9所述的納米氧化物粉體的制造裝置，其特征在于，所述輸送鹵族氣體的導管采用陶瓷類材料制備。