[發(fā)明專利]耐電暈聚酰亞胺薄膜及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110380151.0
• 申請日: 2011-11-25
• 公開（公告）號: CN102490426A
• 公開（公告）日: 2012-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 董占林;張俊麗;任小龍
• 申請（專利權(quán)）人: 桂林電器科學(xué)研究院
• 主分類號: B32B27/28
• 分類號: B32B27/28;B32B27/18;C08G73/10
• 代理公司: 桂林市持衡專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 45107
• 代理人: 唐智芳

1.耐電暈聚酰亞胺薄膜，其特征在于：所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜(1)為三層結(jié)構(gòu)，具體包括一聚酰亞胺基礎(chǔ)層(1-1)，以及分別位于所述聚酰亞胺基礎(chǔ)層(1-1)上表面和下表面上的兩層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)；其中：

所述構(gòu)成聚酰亞胺基礎(chǔ)層(1-1)的組分主要有均苯四甲酸二酐、4，4’-二氨基二苯基醚和二甲基乙酰胺；

所述構(gòu)成耐電暈聚酰亞胺層(1-2)的組分主要有均苯四甲酸二酐、4，4’-二氨基二苯基醚、二甲基乙酰胺和耐電暈填料；在每一層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)中，基于該層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)的干重含有耐電暈填料5～50％。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜，其特征在于：所述每一層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)中，基于該層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)的干重含有耐電暈填料15～30％。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜，其特征在于：所述每一層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)中，基于該層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)的干重含有耐電暈填料20～30％。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜，其特征在于：所述耐電暈填料為選自二氧化硅、氧化鋁、二氧化鈦和氧化鋯中的一種或任意兩種以上的組合；其粒徑為5～500nm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜，其特征在于：當(dāng)耐電暈聚酰亞胺薄膜(1)的總厚度為12.5～125μm時，所述每一層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)的厚度為2～15μm，且兩層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)的總厚度不超過薄膜總厚度的40％。

6.權(quán)利要求1～5中任一項所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜制備方法，其特征在于包括以下步驟：

1)制備聚酰亞胺基礎(chǔ)層(1-1)的聚酰胺酸樹脂溶液；

2)制備各層耐電暈聚酰亞胺層(1-2)的含有耐電暈填料的聚酰胺酸樹脂溶液；

3)擠出、流涎：將步驟1)和步驟2)所得的聚酰胺酸樹脂溶液根據(jù)需要分別輸送至多層共擠模頭的相鄰三個流道進行擠出，然后經(jīng)流涎機流涎以制得薄膜；

4)亞胺化：將流涎所得的薄膜進行亞胺化處理，即得到本發(fā)明所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜(1)。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜制備方法，其特征在于：步驟1)中，按0.9～1.1∶1的摩爾比稱取均苯四甲酸二酐和4，4’-二氨基二苯基醚，稱取相當(dāng)于均苯四甲酸二酐和4，4’-二氨基二苯基醚總重量3～9倍的二甲基乙酰胺，先取4，4’-二氨基二苯基醚溶于二甲基乙酰胺中，然后再加入均苯四甲酸二酐反應(yīng)即得所需的聚酰胺酸樹脂溶液。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的耐電暈聚酰亞胺薄膜制備方法，其特征在于：步驟2)中，是在制備聚酰胺酸樹脂溶液的過程中加入耐電暈填料。