[發(fā)明專利]多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110379968.6
• 申請(qǐng)日: 2011-11-25
• 公開（公告）號(hào): CN103130224A
• 公開（公告）日: 2013-06-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李川川
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常州市萬陽光伏有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/021
• 分類號(hào): C01B33/021
• 代理公司: 蘇州廣正知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32234
• 代理人: 張利強(qiáng)

1.一種多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，包括：爐體、坩堝、位于坩堝外側(cè)的側(cè)板和位于坩堝下方的石墨底板，所述石墨底板下方設(shè)有石墨冷卻塊，所述石墨冷卻塊下方設(shè)有隔熱底板，所述爐體底部?jī)?nèi)側(cè)設(shè)有硅液溢流承接容器，所述硅液溢流承接容器內(nèi)設(shè)有帶控制器的金屬熔斷絲，所述石墨底板和石墨冷卻塊的邊緣設(shè)置有上下貫通的溢流孔，所述隔熱底板上在所述溢流孔正下方位置設(shè)置有通孔。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述爐體的底部還設(shè)有巖棉，所述硅液溢流承接容器置于巖棉上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述的硅液溢流承接容器內(nèi)還鋪設(shè)有襯層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述襯層為陶瓷層或石墨層，厚度為3～5mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述石墨底板和石墨冷卻塊邊緣的溢流孔至少有12個(gè)，平均設(shè)置在石墨底板和石墨冷卻塊的邊緣位置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述石墨冷卻塊上溢流孔的孔徑比所述石墨底板上溢流孔的孔徑大2～3mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述隔熱底板上的通孔孔徑比所述石墨冷卻塊上溢流孔孔徑大2～3mm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述隔熱底板的兩端均向下傾斜，傾斜角度為20～30度。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述爐體外側(cè)還設(shè)有報(bào)警器。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的多晶硅鑄錠爐漏硅檢測(cè)承接裝置，其特征在于，所述控制器與所述報(bào)警器電性連接。