[發明專利]用于曝光工藝的對準標記的制作方法有效
| 申請號： | 201110379678.1 | 申請日： | 2011-11-24 |
| 公開（公告）號： | CN102394234A | 公開（公告）日： | 2012-03-28 |
| 發明（設計）人： | 鄧詠楨;曹秀亮 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 駱蘇華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 曝光 工藝 對準 標記 制作方法 | ||
1.一種對準標記的制作方法，其特征在于，包括：
提供半導體基底；
在所述半導體基底中形成第一溝槽；
在所述形成有第一溝槽的半導體基底上淀積第一介質層，所述第一介質層填滿所述第一溝槽；
進行化學機械研磨，且過研磨直至所述第一溝槽內的所述第一介質層表面形成凹陷；
形成層間介質層；
在所述層間介質層中形成第二溝槽，所述第二溝槽完全露出所述第一溝槽內的第一介質層，且所述第二溝槽的開口大于所述第一溝槽的開口；
形成流淌層。
2.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一溝槽的寬度為5～30μm、深度大于0.8μm。
3.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一介質層的材料硬度小于半導體基底材料。
4.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體基底表面形成有外延層，所述第一溝槽形成在所述外延層中。
5.如權利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述外延層的材料為單晶硅，采用氣相外延方式形成，所述第一介質層的材料為多晶硅，形成方式為低壓化學氣相淀積。
6.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述層間介質層為介電常數為3.9到4.0的SiO2材料。
7.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成所述流淌層的方式為420℃溫度下、在形成有第二溝槽的層間介質層上濺射Al，形成Al金屬層。
8.如權利要求7所述的制作方法，其特征在于，所述Al金屬層的Al中有含量小于5％的銅。
9.如權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體基底為硅襯底。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海宏力半導體制造有限公司，未經上海宏力半導體制造有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110379678.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
